三星和蔡司合作深化EUV研發

　　三星電子正在與蔡司集團深化在下一代極紫外(EUV)光刻技術和芯片技術領域的合作。

　　三星電子執行董事長李在镕在訪問位于奧伯科亨的全球光學和光電子技術集團總部時，與蔡司公司總裁兼首席執行官Karl Lamprecht及其他高管進行了會晤。

　　雙方同意擴大在EUV技術和尖端半導體設備研發方面的合作，以進一步增強在代工和存儲芯片領域的業務競爭力。

　　作為全球頂尖的動態隨機存取存儲器(DRAM)芯片生產商，三星電子與蔡司集團在EUV技術方面擁有廣泛的合作基礎。

　　通過與蔡司集團深化合作，三星電子期望改進其下一代半導體技術，優化芯片制造工藝，并提高先進芯片的產量。

　　通過這次合作，三星希望提升下一代半導體技術，優化芯片制造流程，提高先進芯片的生產良率。

　　蔡司還計劃到2026年投資480億韓元在韓國建設研發中心，加強同三星等韓企的戰略合作，以建立其首個海外研究工作站，專注于解決方案研發。

　　三星電子的目標是推動3納米以下的微制造工藝技術的發展，并計劃在今年采用EUV光刻技術量產第六代10納米DRAM芯片。

　　此外，該公司還計劃在東北亞地區建立首個先進邏輯和存儲芯片流程控制解決方案研發中心，以滿足該地區對光學解決方案不斷增長的需求。

　　蔡司的決定，源于韓國半導體行業以及電池和電動汽車行業對光學解決方案的旺盛需求。

　　蔡司亦提供光觸發器解決方案，該方案在光刻過程中具有關鍵性作用。光觸發器是一種具有透明區域和特定圖案的不透明板或薄膜。

　　蔡司集團是全球領先的極紫外(EUV)光系統供應商ASML Holding NV的唯一光學系統供應商，對于全球芯片產業，特別是代工芯片制造商如臺積電和三星電子等具有重要影響力。

　　全球光刻機光學市場規模達35億美元，蔡司一家獨大。光刻機光學部件指直接參與光的傳輸和處理過程精密零部件。

　　蔡司的半導體制造技術部門是其主要業務，營收逐年增長。2020年始，半導體部門超越其他部門成為蔡司的核心光學部門。

　　蔡司的四大業務部門在2022年實現營收28、21、23、16億歐元，占比分別為31%、24%、26%、18%。

　　半導體光學營收逐年增長，且增速較其他部門始終維持高位。2015-2022財年半導體光學營收從8.9增至27.6億歐元，CAGR達17%。

　　首臺High-NA EUV光刻機正式交貨

　　據相關報道，ASML Holding NV已開始向英特爾公司運送其最新芯片制造機的主要部件。

　　這一重要進展標志著雙方合作關系的進一步深化，并將對半導體行業產生深遠影響。

　　據不愿透露姓名的知情人士透露，該高數值孔徑極紫外線系統已順利運抵英特爾位于俄勒岡州的D1X工廠。

　　然而，英特爾和ASML的發言人對于該系統的具體目的地保持緘默，未發表任何評論。

　　ASML在去年的聲明中明確指出，英特爾計劃于2025年開始生產該系統。

　　D1X工廠作為英特爾研發未來生產技術的關鍵設施，對于提升公司競爭力具有重要意義。

　　去年九月份，ASML宣布計劃在今年年底前推出業界首款高數值孔徑極紫外(EUV)光刻掃描儀。

　　這一創新成果為下一代EUV光刻機的開發帶來了希望之光。

　　ASML的高數值孔徑掃描儀將顛覆傳統半導體工廠的配置模式。

　　新型光學器件和更大規模的新光源需求，將促使工廠結構發生變革，進而引發大規模投資熱潮。

　　英特爾最初計劃在其18A(1.8nm)生產節點中采用ASML的High-NA工具，并定于2025年進行大規模生產。

　　然而，隨著ASML預計交付其Twinscan EXE:5200，英特爾決定將18A生產的開始時間推遲至2024年下半年。

　　為實現這一目標，英特爾選擇了ASML的Twinscan NXE:3600D/3800E進行兩次曝光，并與應用材料公司的Endura Sculpta圖案成形系統相結合，以降低EUV雙圖案化的使用頻率。

　　與此同時，三星代工廠和臺積電亦計劃于2025年末在其2納米級節點(SF2、N2)上開始芯片生產。

　　盡管High NA機器如何納入他們的生產計劃尚存疑問，但可以預見的是，這一技術將對整個行業產生重要影響。

　　除了英特爾公司外，臺積電、三星、SK海力士以及美光等全球知名企業亦已訂購了這款高端設備。

　　然而，鑒于該設備的運輸和安裝流程可能耗時長達六個月，英特爾公司的這一決策無疑使其在行業內獲得了至少半年的領先優勢。

　　根據媒體的相關報道，臺積電、三星、美光等知名企業，除了英特爾之外，亦向ASML公司訂購了先進的High NA EUV光刻機。

　　在ASML公司最近公布的財報中，顯示今年第一季度公司新增訂單總額達到36億歐元，其中EUV光刻機訂單金額為6.56億歐元。

　　此外，ASML近期成功交付了第二臺High NA EUV光刻機，但并未公開透露具體買家信息。

　　結尾：

　　三星電子為獲取新一代EUV光刻機，早在2022年即由董事長李在镕出面與ASML達成合作意向，并簽署了引進EUV光刻設備和高數值孔徑(NA) EUV光刻機設備的協議。

　　另一方面，臺積電亦表明，他們計劃在2024年獲得ASML新一代High-NA EUV光刻機，并預計在2025年正式開始量產2納米芯片。