三菱電機最新開發的Smart-1系列IGBT模塊，將首度在6月21日至23日于上海國際會議中心舉行的PCIM 2011亞洲展（展位號A78-A87）中亮相，連同其大受市場歡迎的V1系列IPM、新型PV-IPM和新型MPD系列模塊，向參觀者展示其強大的變頻工業技術，為客戶提供面積更小、損耗更低、和容量更大的功率模塊。

三菱電機的最新開發的Smart-1系列IGBT模塊，采用第6代CSTBTTM硅片技術和自動壓接裝配技術。模塊的飽和壓降低，功率損耗低，且硅片結溫可高達175°C，硅片運行溫度最高可達150 °C。

Smart-1系列IGBT模塊主要應用于工業變頻電機驅動和伺服驅動，已開發出的模塊電路拓撲有兩種，一種是整流逆變制動的CIB（Converter Inverter Brake），另一種是6合1模塊。其中，CIB模塊的電流/電壓等級有15A~35A/1200V，6合1模塊的電流/電壓等級有25A~50A/1200V。

圖片說明：Smart-1系列IGBT模塊的照片

近年來為了更有效的利用能源，頻率可調的變頻器廣泛使用于工業電機的驅動控制系統。變頻器的輸出部分普遍采用內置驅動電路、保護電路的功率半導體模塊IPM來高速開關電流。因此需要損耗低、功率大且尺寸小的IPM

三菱電機在1998年推出工業用2單元V系列IPM。現在推出大功率電機用的低損耗小型V1系列IPM，可用于37kw以上的變頻器和15kw以上的伺服驅動器等。新的V1系列IPM把三菱電機早期的2單元S系列和V系列IPM統一成兩種封裝，采用CSTBTTM硅片具有低損耗的優點，最優化的集成在硅片上的溫度傳感器，功率循環能力較以前的產品相比得到顯著提高。電壓分別有600V和1200V兩個等級，電流從200A/1200V到800A/600V，產品豐富。V1系列IPM使得變頻器的功率損耗與老產品相比降低約20%（PM300DV1A120與PM300DVA120相比較）。另外，V1系列IPM在每一個硅片上都有溫度傳感器用于檢測溫度，與老產品V系列IPM相比，新的V1系列IPM的溫度保護功能得到增強。

圖片說明：V1系列IPM模塊照片 小型封裝和大型封裝

為了抑制地球暖化，現在極力推進利用自然能源的太陽能發電系統。住宅用的太陽能發電系統將太陽能電池板的直流電轉換成交流電。由于調整電壓的功率變換器安裝在室內，所以需要功率變換器的尺寸盡可能的小。三菱電機推出的新封裝型PV-IPM使得太陽能發電系統的功率變換器小型化得以實現。

該新型模塊在燃料電池系統等的功率變換器中也可以使用。新品的面積比以前的產品減小了約30％，從而為功率變換器的小型化做出貢獻。根據內置功率硅片的數量可以將該系列產品分為4單元、5單元和6單元共3種，其對應的電路拓撲結構分別為單相逆變電路、單相逆變加1個升壓電路、單相逆變加2個升壓電路。額定電流包括50A和75A兩個電流等級。

圖片說明：新型PV-IPM照片

尺寸：90×50×25mm 79 X 31 X 8 (mm)

為了減少二氧化碳排放，抑制地球暖化，現在極力推進風力發電、太陽能發電等利用自然能源的發電系統。近來，新能源發電系統已經達到兆瓦級的大規模，對應用于這些發電系統的功率變換裝置的容量也比以前大幅提高。

三菱電機在2002年推出了額定電壓為1200V，額定電流為1400A的2單元MPD系列IGBT模塊，它可用于兆瓦級的功率變換裝置。今天，為了滿足發電系統大容量化的需求，我們推出New-MPD系列的產品。除此以外，這種新品還適用于工業用大容量變頻器、不間斷電源（UPS）等裝置。

New-MPD系列IGBT模塊針對大電流專用的內部結構采用專門的封裝，并采用低損耗的第6代IGBT硅片，使得額定電流提升到原MPD系列的1.5倍以上。CM2500DY-24S的額定電流為2500A，是目前工業用2單元IGBT模塊中電流最大的，從而使得利用自然能源發電的系統可以做到更大的容量。同時，為了提高水冷的冷卻效率，模塊內部的硅片布局空間保持較大余量。

圖片說明：新型MPD 照片