日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET—-SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET®應用到更小的封裝尺寸上。
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET—-SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET®應用到更小的封裝尺寸上。
手持激光測距儀的輕便小巧、便捷易用成為建筑師或是戶外作業工程師的必備品。邁測在戶外陽光下的量程，是其它品牌的兩倍，其最遠量程，也已超過標準量程。
安森美半導體推出新的步進電機驅動器IC——LV8702V，提供比市場上現有產品顯著提高的能效。這器件針對復印機、掃描儀及多功能打印機等辦公自動化設備應用而專門設計。
泰克公司推出用于100G網絡設計與測試的新32 Gb/s多通道高速碼型發生器和誤碼測試儀 通過擴充市場領先的BERT產品系列來支持相干光調制格式和100G LR4/ER4標準要求的多通道測試
目前，一期工程已竣工，明年5月份正式入駐，二期工程建設將于明年下半年開工，總體工程2016年全部竣工，屆時將成為國內面積最大、種類最齊全的國際性機床大市場和機床產業營銷采購基地
Vishay推出新款Power Metal Strip®電阻 器件具有2010外形尺寸、2W功率等級和0.001Ω的極低阻值
上海，2012年12月19日 – 富士通半導體（上海）有限公司于日前贊助了由上海植物園主辦的2012上海植物園郁金香種植公益體驗日活動。該體驗日主題為“播種春天”，意在通過與大自然的接觸為弱勢群體提供一個接近、感受、了解以及熱愛大自然的橋梁。此次活動作為富士通半導體積極參與幫助弱勢群體公益活動，推動企業社會責任的重要內容，得到了公司員工的積極響應。
2012年12月18 日 － 技術創新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產品。
TriQuint的首批四個收發雙工器在兩個GPS頻帶提供輸出，并這兩個頻帶間具有顯著的抑制,這一高抑制與低插入損耗和帶寬是通過使用TriQuint成熟的聲表面波技術而實現的。與用于通信的其他濾波器產品比較，這一系列產品提供了出色性能，還具有顯著的尺寸和重量的優點
電阻分壓器采用小尺寸表面貼裝SOT-23封裝并通過AEC-Q200認證，具有±0.05%的嚴格比例容差和±2ppm/℃的TCR跟蹤
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