意法半導體新的集成RF合成器擁有低相位噪聲和獨特微波功能

意法半導體日前推出新的集成射頻合成器，新產品內嵌壓控振蕩器，ST表示，綜合相位噪聲達到業內最低水平，而帶寬則達到市場上最高水準。ST的合成器是市場上現有產品中輸出頻率唯一超過3GHz的單片產品。STW81101和STW81102的問世滿足了移動基站、衛星通信和有線電視設備制造商對射頻應用解決方案的空間尺寸和成本效益的日益增長的需求。

頻率合成器構成了無線電設計的基礎，其性能高低對整個系統的運行有很大的影響。相位噪聲最小化和寬帶頻率范圍最大化是今天的通信設備對信號源組件的主要需求。

定位于蜂窩網絡基礎設施、點對點無線電、有線電視和衛星系統專用的無線收發器應用，ST的STW81101和STW81102在整數分頻比(N)的單片射頻合成器中具有業內最佳的相噪性能。相噪測量值在1GHz時0.2°RMS(均方根)，在2GHz時0.5°RMS，在4GHz時1.3°RMS，頻率階躍200kHz。出色的信號隨機頻率波動抑制能力，為設計人員提供了更大的設計空間；更低的相位噪聲則滿足了系統制造商對最小化數據和語音傳輸中的位錯誤率的嚴格要求。

ST的新射頻合成器為客戶提供了多頻帶功能和最寬的頻率范圍。嵌入式壓控振蕩器(VCO)與中心頻率自動對準和多個輸出選擇的整合，使得新器件能夠工作在從750MHz到4.65GHz的多個頻帶內。現在，設備供應商只要給多頻帶無線應用如四頻基站收發器安裝一個ST的合成器即可滿足性能需求，而不必再給每個頻率范圍安裝專用的合成器。此外，STW81101和STW81102是現今3GHz和4GHz頻帶應用(如WiFi和WiMAX基站或者固定無線電鏈路)市場上的唯一的單片合成器。

雙數字接口進一步增強了STW8110x系列產品的多功能性，支持可連接多臺設備的I2C協議，新增串行到并行的高速(SPI)接口總線。

ST的單片射頻合成器采用該公司獨有的領先世界的BiCMOS SiGe制造工藝，其性能和可靠性均超越了競爭對手的解決方案，與傳統的分立器件相比，材料成本和占位尺寸縮減高達60%。

“ST提高了集成射頻合成器的性能標桿，滿足了系統制造商對更高的靈活性和集成度的解決方案的需求?！盨T無線通信基礎設施射頻產品部市場經理Guillaume Pertinant表示，“同時，我們是市場上第一個針對新興的高速增長的微波應用推出單片合成器的廠商?！?

STW81101和STW81102與上一代產品(STW81100)引腳對引腳兼容，芯片封裝采用QFN-28無鉛封裝。評估工具套件包括評估板、STWPLLSim鎖相環濾波器設計和噪聲仿真軟件、編程GUI(圖形用戶界面)和應用板設計指導原則。

新的STWPLLSim是一個功能強大、用戶友好的互動工具，能夠快速、準確地設計鎖相環，從高級參數(如環路帶寬和相補角)開始優化STW8110x器件。噪聲建模精度確保在很短的時間內完成第一回路濾波器設計，而傳統的手工優化則需要很長的設計周期。

評估套件和正式產品將于2006年5月上市，如果批量訂貨，STW81101和STW81102 的單價是3美元。