世界上最小的靜態(tài)存儲(chǔ)單元問(wèn)世
美國(guó)IBM公司、AMD以及紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院（CNSE）等機(jī)構(gòu)共同宣布，世界上首個(gè)22納米節(jié)點(diǎn)有效靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設(shè)備環(huán)境下，制造出有效存儲(chǔ)單元。
SRAM芯片是更復(fù)雜的設(shè)備，比如微處理器的“先驅(qū)”。SRAM單元的尺寸更是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。最新的SRAM單元利用傳統(tǒng)的六晶體管設(shè)計(jì)，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。
新的研究工作是在紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院（CNSE）完成的，IBM及其他伙伴的許多頂尖的半導(dǎo)體研究都在這里進(jìn)行。IBM科技研發(fā)部副總裁T.C. Chen博士稱，“我們正在可能性的終極邊緣進(jìn)行研究，朝著先進(jìn)的下一代半導(dǎo)體技術(shù)前進(jìn)。新的研究成果對(duì)于不斷驅(qū)動(dòng)微電子設(shè)備小型化的追求，可以說(shuō)至關(guān)重要。”
22納米是芯片制造的下兩代，而下一代是32納米。在這方面，IBM及合作伙伴正在發(fā)展它們無(wú)與倫比的32納米高K金屬柵極工藝（high-K metal gate technology）。
從傳統(tǒng)上而言，SRAM芯片通過(guò)縮小基本構(gòu)建單元，來(lái)制造得更加緊密。IBM聯(lián)盟的研究人員優(yōu)化了SRAM單元的設(shè)計(jì)和電路圖，從而提升了穩(wěn)定性，此外，為了制造新型SRAM單元，他們還開(kāi)發(fā)出幾種新的制作工藝流程。研究人員利用高NA浸沒(méi)式光刻（high-NA immersion lithography）技術(shù)刻出了模式維度和密度，并且在先進(jìn)的300毫米半導(dǎo)體研究環(huán)境中制作了相關(guān)部件。
與SRAM單元相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)包括：邊帶高K金屬柵極、<25納米柵極長(zhǎng)度晶體管、超薄隔離結(jié)構(gòu)（spacer）、共同摻雜、先進(jìn)激活技術(shù)、極薄硅化物膜以及嵌入式銅觸點(diǎn)等。
據(jù)悉，在2008年12月15至17日美國(guó)舊金山將要舉行的IEEE國(guó)際電子設(shè)備（IEDM）年會(huì)上，還會(huì)有專門(mén)的報(bào)告來(lái)介紹最新成果的細(xì)節(jié)。
SRAM芯片是更復(fù)雜的設(shè)備，比如微處理器的“先驅(qū)”。SRAM單元的尺寸更是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。最新的SRAM單元利用傳統(tǒng)的六晶體管設(shè)計(jì)，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。
新的研究工作是在紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院（CNSE）完成的，IBM及其他伙伴的許多頂尖的半導(dǎo)體研究都在這里進(jìn)行。IBM科技研發(fā)部副總裁T.C. Chen博士稱，“我們正在可能性的終極邊緣進(jìn)行研究，朝著先進(jìn)的下一代半導(dǎo)體技術(shù)前進(jìn)。新的研究成果對(duì)于不斷驅(qū)動(dòng)微電子設(shè)備小型化的追求，可以說(shuō)至關(guān)重要。”
22納米是芯片制造的下兩代，而下一代是32納米。在這方面，IBM及合作伙伴正在發(fā)展它們無(wú)與倫比的32納米高K金屬柵極工藝（high-K metal gate technology）。
從傳統(tǒng)上而言，SRAM芯片通過(guò)縮小基本構(gòu)建單元，來(lái)制造得更加緊密。IBM聯(lián)盟的研究人員優(yōu)化了SRAM單元的設(shè)計(jì)和電路圖，從而提升了穩(wěn)定性，此外，為了制造新型SRAM單元，他們還開(kāi)發(fā)出幾種新的制作工藝流程。研究人員利用高NA浸沒(méi)式光刻（high-NA immersion lithography）技術(shù)刻出了模式維度和密度，并且在先進(jìn)的300毫米半導(dǎo)體研究環(huán)境中制作了相關(guān)部件。
與SRAM單元相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)包括：邊帶高K金屬柵極、<25納米柵極長(zhǎng)度晶體管、超薄隔離結(jié)構(gòu)（spacer）、共同摻雜、先進(jìn)激活技術(shù)、極薄硅化物膜以及嵌入式銅觸點(diǎn)等。
據(jù)悉，在2008年12月15至17日美國(guó)舊金山將要舉行的IEEE國(guó)際電子設(shè)備（IEDM）年會(huì)上，還會(huì)有專門(mén)的報(bào)告來(lái)介紹最新成果的細(xì)節(jié)。
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