世界上最小的靜態(tài)存儲單元問世
美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院（CNSE）等機構共同宣布，世界上首個22納米節(jié)點有效靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設備環(huán)境下，制造出有效存儲單元。
SRAM芯片是更復雜的設備，比如微處理器的“先驅”。SRAM單元的尺寸更是半導體產(chǎn)業(yè)中的關鍵技術指標。最新的SRAM單元利用傳統(tǒng)的六晶體管設計，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。
新的研究工作是在紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院（CNSE）完成的，IBM及其他伙伴的許多頂尖的半導體研究都在這里進行。IBM科技研發(fā)部副總裁T.C. Chen博士稱，“我們正在可能性的終極邊緣進行研究，朝著先進的下一代半導體技術前進。新的研究成果對于不斷驅動微電子設備小型化的追求，可以說至關重要。”
22納米是芯片制造的下兩代，而下一代是32納米。在這方面，IBM及合作伙伴正在發(fā)展它們無與倫比的32納米高K金屬柵極工藝（high-K metal gate technology）。
從傳統(tǒng)上而言，SRAM芯片通過縮小基本構建單元，來制造得更加緊密。IBM聯(lián)盟的研究人員優(yōu)化了SRAM單元的設計和電路圖，從而提升了穩(wěn)定性，此外，為了制造新型SRAM單元，他們還開發(fā)出幾種新的制作工藝流程。研究人員利用高NA浸沒式光刻（high-NA immersion lithography）技術刻出了模式維度和密度，并且在先進的300毫米半導體研究環(huán)境中制作了相關部件。
與SRAM單元相關的關鍵技術包括：邊帶高K金屬柵極、<25納米柵極長度晶體管、超薄隔離結構（spacer）、共同摻雜、先進激活技術、極薄硅化物膜以及嵌入式銅觸點等。
據(jù)悉，在2008年12月15至17日美國舊金山將要舉行的IEEE國際電子設備（IEDM）年會上，還會有專門的報告來介紹最新成果的細節(jié)。
SRAM芯片是更復雜的設備，比如微處理器的“先驅”。SRAM單元的尺寸更是半導體產(chǎn)業(yè)中的關鍵技術指標。最新的SRAM單元利用傳統(tǒng)的六晶體管設計，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。
新的研究工作是在紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院（CNSE）完成的，IBM及其他伙伴的許多頂尖的半導體研究都在這里進行。IBM科技研發(fā)部副總裁T.C. Chen博士稱，“我們正在可能性的終極邊緣進行研究，朝著先進的下一代半導體技術前進。新的研究成果對于不斷驅動微電子設備小型化的追求，可以說至關重要。”
22納米是芯片制造的下兩代，而下一代是32納米。在這方面，IBM及合作伙伴正在發(fā)展它們無與倫比的32納米高K金屬柵極工藝（high-K metal gate technology）。
從傳統(tǒng)上而言，SRAM芯片通過縮小基本構建單元，來制造得更加緊密。IBM聯(lián)盟的研究人員優(yōu)化了SRAM單元的設計和電路圖，從而提升了穩(wěn)定性，此外，為了制造新型SRAM單元，他們還開發(fā)出幾種新的制作工藝流程。研究人員利用高NA浸沒式光刻（high-NA immersion lithography）技術刻出了模式維度和密度，并且在先進的300毫米半導體研究環(huán)境中制作了相關部件。
與SRAM單元相關的關鍵技術包括：邊帶高K金屬柵極、<25納米柵極長度晶體管、超薄隔離結構（spacer）、共同摻雜、先進激活技術、極薄硅化物膜以及嵌入式銅觸點等。
據(jù)悉，在2008年12月15至17日美國舊金山將要舉行的IEEE國際電子設備（IEDM）年會上，還會有專門的報告來介紹最新成果的細節(jié)。
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