65nm技術(shù)開發(fā)的FeRAM材料存儲(chǔ)能力高達(dá)256Mb
東京理工大學(xué)和富士通微電子已經(jīng)聯(lián)合開發(fā)出用于新一代非易失性鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（Ferroelectric Random Access Memory，F(xiàn)eRAM）的材料和工藝技術(shù)。 這種改進(jìn)的鉍、鐵、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO）能使FeRAM設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量提高到現(xiàn)在容量的五倍。
采用65nm工藝技術(shù)就可以將存儲(chǔ)容量至少提高到256Mb，工作在1.3V電壓下的功耗是現(xiàn)有產(chǎn)品的一半。
BFO是由鉍、鐵和氧原子構(gòu)成的具有鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的鐵電材料。目前普遍使用的鐵電材料是鋯鈦酸鉛（PZT或Pb（Zr，Ti）O3），它的電荷存儲(chǔ)能力低，可升級(jí)性有限。PZT的技術(shù)局限在130nm節(jié)點(diǎn)就會(huì)反映出來(lái)，因?yàn)殡S著存儲(chǔ)單元區(qū)的減少，對(duì)極化的要求也越來(lái)越高。
隨著對(duì)BFO的深入開發(fā)，可以實(shí)現(xiàn)256Mb的大容量FeRAM，這種FeRAM與現(xiàn)有的1Mb產(chǎn)品相比，密度將會(huì)高出兩個(gè)等級(jí)。密度的提高使得FeRAM的應(yīng)用將在新的領(lǐng)域（如快速啟動(dòng)，它使計(jì)算機(jī)在開機(jī)后能夠立刻使用）得到擴(kuò)展，而不再僅限于在安全應(yīng)用領(lǐng)域。FeRAM還可以用于電子紙?jiān)O(shè)備，該設(shè)備能讓用戶瀏覽和閱讀傳統(tǒng)上印刷在紙張上的大量信息。欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://us.fujitsu.com。
[此信息未經(jīng)證實(shí)，僅供參考]
采用65nm工藝技術(shù)就可以將存儲(chǔ)容量至少提高到256Mb，工作在1.3V電壓下的功耗是現(xiàn)有產(chǎn)品的一半。
BFO是由鉍、鐵和氧原子構(gòu)成的具有鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的鐵電材料。目前普遍使用的鐵電材料是鋯鈦酸鉛（PZT或Pb（Zr，Ti）O3），它的電荷存儲(chǔ)能力低，可升級(jí)性有限。PZT的技術(shù)局限在130nm節(jié)點(diǎn)就會(huì)反映出來(lái)，因?yàn)殡S著存儲(chǔ)單元區(qū)的減少，對(duì)極化的要求也越來(lái)越高。
隨著對(duì)BFO的深入開發(fā)，可以實(shí)現(xiàn)256Mb的大容量FeRAM，這種FeRAM與現(xiàn)有的1Mb產(chǎn)品相比，密度將會(huì)高出兩個(gè)等級(jí)。密度的提高使得FeRAM的應(yīng)用將在新的領(lǐng)域（如快速啟動(dòng)，它使計(jì)算機(jī)在開機(jī)后能夠立刻使用）得到擴(kuò)展，而不再僅限于在安全應(yīng)用領(lǐng)域。FeRAM還可以用于電子紙?jiān)O(shè)備，該設(shè)備能讓用戶瀏覽和閱讀傳統(tǒng)上印刷在紙張上的大量信息。欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://us.fujitsu.com。
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