65nm技術開發的FeRAM材料存儲能力高達256Mb
東京理工大學和富士通微電子已經聯合開發出用于新一代非易失性鐵電隨機存儲器（Ferroelectric Random Access Memory，FeRAM）的材料和工藝技術。 這種改進的鉍、鐵、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO）能使FeRAM設備的數據存儲容量提高到現在容量的五倍。
采用65nm工藝技術就可以將存儲容量至少提高到256Mb，工作在1.3V電壓下的功耗是現有產品的一半。
BFO是由鉍、鐵和氧原子構成的具有鈣鈦礦型結構的鐵電材料。目前普遍使用的鐵電材料是鋯鈦酸鉛（PZT或Pb（Zr，Ti）O3），它的電荷存儲能力低，可升級性有限。PZT的技術局限在130nm節點就會反映出來，因為隨著存儲單元區的減少，對極化的要求也越來越高。
隨著對BFO的深入開發，可以實現256Mb的大容量FeRAM，這種FeRAM與現有的1Mb產品相比，密度將會高出兩個等級。密度的提高使得FeRAM的應用將在新的領域（如快速啟動，它使計算機在開機后能夠立刻使用）得到擴展，而不再僅限于在安全應用領域。FeRAM還可以用于電子紙設備，該設備能讓用戶瀏覽和閱讀傳統上印刷在紙張上的大量信息。欲了解更多信息，請訪問http://us.fujitsu.com。
[此信息未經證實，僅供參考]
采用65nm工藝技術就可以將存儲容量至少提高到256Mb，工作在1.3V電壓下的功耗是現有產品的一半。
BFO是由鉍、鐵和氧原子構成的具有鈣鈦礦型結構的鐵電材料。目前普遍使用的鐵電材料是鋯鈦酸鉛（PZT或Pb（Zr，Ti）O3），它的電荷存儲能力低，可升級性有限。PZT的技術局限在130nm節點就會反映出來，因為隨著存儲單元區的減少，對極化的要求也越來越高。
隨著對BFO的深入開發，可以實現256Mb的大容量FeRAM，這種FeRAM與現有的1Mb產品相比，密度將會高出兩個等級。密度的提高使得FeRAM的應用將在新的領域（如快速啟動，它使計算機在開機后能夠立刻使用）得到擴展，而不再僅限于在安全應用領域。FeRAM還可以用于電子紙設備，該設備能讓用戶瀏覽和閱讀傳統上印刷在紙張上的大量信息。欲了解更多信息，請訪問http://us.fujitsu.com。
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