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      三星Hynix聯手研發新一代半導體芯片

        世界頂級芯片制造商三星電子與Hynix周三宣布,將聯手發展下一代半導體芯片。
        據國外媒體報道,三星與Hynix表示,雙方將合作進行旋轉力矩轉移-磁性隨機存儲器(STT-MRAM)芯片的研發工作,并將致力于使其成為下一代450毫米晶圓的行業標準。
        三星與Hynix表示,研發工作將于8月份開始著手實施。
        三星與Hynix預計,全球新一代芯片市場將在2012年左右趨于成熟。

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