半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來合縱連橫新生態(tài)時代
由英特爾(Intel)、意法半導(dǎo)體(ST)和FranciscoPartners合資成立的半導(dǎo)體公司Numonyx(恒憶)于日前正式成立，于荷蘭注冊登記，總部設(shè)于瑞士，Numonyx初期的主要營運(yùn)將針對非揮發(fā)性內(nèi)存提供系統(tǒng)服務(wù)并整合產(chǎn)品研發(fā)與制造，以因應(yīng)DSC、MP3/PMP、手機(jī)、計算機(jī)等各項終端產(chǎn)品的創(chuàng)新應(yīng)用。Numonyx營運(yùn)事業(yè)分割自英特爾(Intel)NORFlash與意法半導(dǎo)體(ST)NANDFlash部分，2007年來自此兩大公司原事業(yè)部門的營收合計約達(dá)36億美元。目前ST持有48.1%的股權(quán)，Intel持有45.1%，而FranciscoPartners則投資1.5億美元，取得6.3%的股權(quán)。
目前Numonyx主要營業(yè)項目可區(qū)分為兩大主要區(qū)塊，第一部份為系統(tǒng)設(shè)計服務(wù)，范圍涵蓋汽車用、消費(fèi)性電子產(chǎn)品、工業(yè)用、計算機(jī)與周邊配備、記憶卡制程與無線通訊技術(shù)等解決方案；第二部份則為儲存技術(shù)相關(guān)技術(shù)與產(chǎn)品制造，內(nèi)容包含NAND、NOR、MCP、PCM、記憶卡與軟件應(yīng)用開發(fā)。
結(jié)合了Intel與ST在產(chǎn)品開發(fā)與專業(yè)技術(shù)的優(yōu)勢，使Numonyx具備良好的先天條件 ，足以協(xié)助客戶在效能提升與具競爭力的成本間取得平衡，目前Numonyx已經(jīng)于新加坡以65nm技術(shù)生產(chǎn)8吋NOR內(nèi)存芯片，估計于2009年之前可望提升至45nm制程，以更為先進(jìn)的技術(shù)降低成本。此外，該公司也開發(fā)了新的堆棧與封裝技術(shù)，提供更為彈性與節(jié)省空間的商品組合。至于NANDFlash的生產(chǎn)部分，目前主要與Hynix合作于中國無錫以45nm與55nm制程技術(shù)生產(chǎn)NANDFlash，無錫廠的產(chǎn)能于Numonyx成立后將會視需求進(jìn)行調(diào)整，而產(chǎn)出部分將依據(jù)Hynix與ST對無錫廠的股份持有分享產(chǎn)能。
Numonyx的優(yōu)勢在于整合Intel與ST的先進(jìn)制程技術(shù)與原本的市場滲透率，另外承接自此兩大公司的專利也使其于初期即具備極佳的競爭優(yōu)勢，目前專利范圍涵蓋NOR、NAND、PCM、處理器與半導(dǎo)體封裝技術(shù)等。對Numonyx而言，除了繼續(xù)承接Intel與ST的既有合約外，本身也擁有晶圓制造、組裝與測試的完整制程，目前的廠房分布于意大利、以色列與新加坡，雖然部分廠房目前仍處于閑置狀態(tài)，不過未來仍可視市場需求調(diào)整NAND、NOR與其它產(chǎn)品的生產(chǎn)。
在目前Numonyx各項技術(shù)研發(fā)中，最令人關(guān)注的是PCM(PhaseChangeMemory)內(nèi)存制程技術(shù)，相較于目前的內(nèi)存產(chǎn)品，PCM能提供低于傳統(tǒng)內(nèi)存功率耗損但卻更為迅速的讀寫速度，并且同時具備位可變性(bitalterability)的優(yōu)點(diǎn)，將目前分歧的內(nèi)存優(yōu)點(diǎn)整合于一，減低目前不同內(nèi)存產(chǎn)品的個別缺失，PCM內(nèi)存計劃于2009年初進(jìn)行試量產(chǎn)，順利的話，將于2009年底或2010年初正式量產(chǎn)推出。
由于目前STMicro/Hynix，Intel/Micron及SanDisk/Hynix在NANDFlash領(lǐng)域都有技術(shù)合作的聯(lián)盟關(guān)系，因此Numonyx的成立不啻為NANDFlash產(chǎn)業(yè)開啟了合縱連橫的新生態(tài)，我們也預(yù)期在研發(fā)與廠房投資日益龐大，且景氣波動劇烈的NANDFlash產(chǎn)業(yè)，未來廠商為分散營運(yùn)及投資風(fēng)險而實(shí)行的各種策略聯(lián)盟模式也將益發(fā)盛行。
目前Numonyx主要營業(yè)項目可區(qū)分為兩大主要區(qū)塊，第一部份為系統(tǒng)設(shè)計服務(wù)，范圍涵蓋汽車用、消費(fèi)性電子產(chǎn)品、工業(yè)用、計算機(jī)與周邊配備、記憶卡制程與無線通訊技術(shù)等解決方案；第二部份則為儲存技術(shù)相關(guān)技術(shù)與產(chǎn)品制造，內(nèi)容包含NAND、NOR、MCP、PCM、記憶卡與軟件應(yīng)用開發(fā)。
結(jié)合了Intel與ST在產(chǎn)品開發(fā)與專業(yè)技術(shù)的優(yōu)勢，使Numonyx具備良好的先天條件 ，足以協(xié)助客戶在效能提升與具競爭力的成本間取得平衡，目前Numonyx已經(jīng)于新加坡以65nm技術(shù)生產(chǎn)8吋NOR內(nèi)存芯片，估計于2009年之前可望提升至45nm制程，以更為先進(jìn)的技術(shù)降低成本。此外，該公司也開發(fā)了新的堆棧與封裝技術(shù)，提供更為彈性與節(jié)省空間的商品組合。至于NANDFlash的生產(chǎn)部分，目前主要與Hynix合作于中國無錫以45nm與55nm制程技術(shù)生產(chǎn)NANDFlash，無錫廠的產(chǎn)能于Numonyx成立后將會視需求進(jìn)行調(diào)整，而產(chǎn)出部分將依據(jù)Hynix與ST對無錫廠的股份持有分享產(chǎn)能。
Numonyx的優(yōu)勢在于整合Intel與ST的先進(jìn)制程技術(shù)與原本的市場滲透率，另外承接自此兩大公司的專利也使其于初期即具備極佳的競爭優(yōu)勢，目前專利范圍涵蓋NOR、NAND、PCM、處理器與半導(dǎo)體封裝技術(shù)等。對Numonyx而言，除了繼續(xù)承接Intel與ST的既有合約外，本身也擁有晶圓制造、組裝與測試的完整制程，目前的廠房分布于意大利、以色列與新加坡，雖然部分廠房目前仍處于閑置狀態(tài)，不過未來仍可視市場需求調(diào)整NAND、NOR與其它產(chǎn)品的生產(chǎn)。
在目前Numonyx各項技術(shù)研發(fā)中，最令人關(guān)注的是PCM(PhaseChangeMemory)內(nèi)存制程技術(shù)，相較于目前的內(nèi)存產(chǎn)品，PCM能提供低于傳統(tǒng)內(nèi)存功率耗損但卻更為迅速的讀寫速度，并且同時具備位可變性(bitalterability)的優(yōu)點(diǎn)，將目前分歧的內(nèi)存優(yōu)點(diǎn)整合于一，減低目前不同內(nèi)存產(chǎn)品的個別缺失，PCM內(nèi)存計劃于2009年初進(jìn)行試量產(chǎn)，順利的話，將于2009年底或2010年初正式量產(chǎn)推出。
由于目前STMicro/Hynix，Intel/Micron及SanDisk/Hynix在NANDFlash領(lǐng)域都有技術(shù)合作的聯(lián)盟關(guān)系，因此Numonyx的成立不啻為NANDFlash產(chǎn)業(yè)開啟了合縱連橫的新生態(tài)，我們也預(yù)期在研發(fā)與廠房投資日益龐大，且景氣波動劇烈的NANDFlash產(chǎn)業(yè)，未來廠商為分散營運(yùn)及投資風(fēng)險而實(shí)行的各種策略聯(lián)盟模式也將益發(fā)盛行。
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