自半導體行業復蘇信號釋出后，業界布局不斷，其中不乏出現聯電、英特爾、Soitec、神盾集團等企業身影，涉及晶圓代工、第三代半導體、芯片設計、半導體材料等領域。針對半導體行業頻繁動態，業界認為，這是一個積極的現象，有利于行業發展。近期，半導體企業合作傳來新的進展。

　　晶圓代工：聯電x英特爾曝進展，12nm預計2026年“收官”

　　5月30日，晶圓代工大廠聯電召開年度股東會，共同總經理簡山杰表示，與英特爾合作開發12nm制程平臺將是聯電未來技術發展的關鍵點，預計2026年開發完成，2027年進入量產。

　　2024年1月，聯電與英特爾宣布雙方將合作開發12nm FinFET制程平臺，以因應移動、通訊基礎建設和網絡等市場的快速成長。雙方認為，這項長期合作結合英特爾位于美國的大規模制造產能，和聯電在成熟制程上豐富的晶圓代工經驗，以擴充制程組合，同時提供更佳的區域多元且具韌性的供應鏈，協助全球客戶做出更好的采購決策。

　　對此，先前聯電共同總經理王石曾經表示，聯電與英特爾進行在美國制造的12nm FinFET制程合作，是聯電追求具成本效益的產能擴張，和技術節點升級策略的重要一環，此舉并延續聯電對客戶的一貫承諾。這項合作將協助客戶順利升級到此關鍵技術節點，同時受惠于擴展位于北美市場產能帶來的供應鏈韌性。聯電期待與英特爾展開策略合作，利用雙方的互補優勢，以擴大潛在市場，同時大幅加快技術發展時程。

　　簡山杰在本次股東會上指出，聯電正開積極開發的12nm FinFET制程技術平臺相對于前一代的14nm FinFET制程技術平臺，除性能將大幅提升之外，芯片的尺寸也將變小，功耗能進一步降低，可充分發揮FinFET在性能、功耗、以及閘密度所具備的優勢、可廣泛用于各種半導體產品上。聯電預計，12nmFinFET制程技術平臺預計2026年開發完成，2027年進入量產。

　　除了制程研發，聯電也正在加速產能進程，5月21日，聯電宣布新加坡Fab12i首批機臺設備進廠。聯電表示，聯電新加坡投入12英寸晶圓制造廠營運超過20年，新加坡Fab12i P3廠也是聯電先進特殊制程研發中心。

　　此外，展望2024年第二季，聯電表示，隨著電腦、消費及通訊領域的庫存狀況逐漸回到較為健康的水位，聯電預期整體晶圓出貨量將略為上升。在車用和工業領域方面，由于庫存消化速度低于預期，需求仍舊低迷。盡管短期間仍將受到總體經濟環境的不確定性和成本壓力的影響，聯電仍將在技術、產能及人才方面持續投資，以確保我們能夠做好充分準備，迎接下一階段5G和AI創新所驅動的成長。

　　氮化鎵：佳恩半導體x西安電子科技大學

　　5月28日，青島佳恩半導體有限公司(以下簡稱“佳恩半導體”)與西安電子科技大學戰略合作簽約儀式在青島舉行。

　　資料顯示，青島佳恩半導體有限公司一直致力于高端半導體功率器件的設計、開發、制造及銷售，作為新一代的功率半導體設計公司，佳恩掌握著創新型功率半導體核心技術，擁有自主知識產權和自主品牌。

　　佳恩半導體表示，此次簽約儀式雙方就共同研究開展GAN(氮化鎵)功率器件結構設計與特性仿真，獲得器件優化結構及參數，基于氮化鎵器件制造平臺開展器件核心工藝實驗研究、工藝參數優化及器件樣品研制，針對氮化鎵功率器件特點，開展器件仿真研究，揭示器件特性與結構的內在關聯，開展氮化鎵功率器件的柵結構及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究。

　　與傳統硅材料相比，基于GaN材料制備的功率器件擁有更高的功率輸出密度和更高的能量轉換效率，并可以使系統小型化、輕量化，有效降低電力電子零部件體積和重量。當前，氮化鎵(GaN)應用市場逐步擴展，正向數據中心、可再生能源以及新能源汽車市場持續推進，未來前景廣闊。

　　據全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢研究指出，到2026年，全球GaN功率元件市場規模將從2022年的1.8億美金成長至13.3億美金，復合增長率高達65%。

　　集邦咨詢預計，至2025年左右，GaN將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中，再遠到2030年，OEM或考慮將該技術引入牽引逆變器。

　　碳化硅：X-Fab和Soitec將在美國得州展開合作

　　近日，Soitec宣布，將與純晶圓代工廠X-Fab開始合作，在X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠提供Soitec的SmartSiC技術用于生產碳化硅功率器件。

　　此次合作是在評估階段成功完成之后進行的，在此期間，X-Fab Texas在6英寸SmartSiC晶圓上制造了碳化硅(SiC)功率器件。Soitec將通過聯合供應鏈寄售模式為X-Fab的客戶提供SmartSiC襯底的使用權。

　　據悉，Soitec正在其位于法國格勒諾布爾附近貝爾南的新工廠加大Smart SiC襯底的產量。而X-Fab正在拉伯克工廠提高SiC器件的生產能力。

　　碳化硅 (SiC) 是一種化合物半導體材料，具有固有特性，在功率應用中比硅具有卓越的性能和效率。隨著新能源汽車、光儲充等市場需求推動，SiC功率器件用量持續走高。據TrendForce集邦咨詢研究，2023年全球SiC Power Device市場規模約30.4億美元，至2028年有望上升至91.7億美元，CAGR達25%。

　　半導體材料：南京大學x江蘇富樂德半導體

　　據東臺高新區消息，5月26日，“南京大學—江蘇富樂德半導體洗凈校企聯合研究中心”揭牌儀式在富樂德石英東臺工廠舉行。

　　該中心由江蘇富樂德石英科技有限公司和南京大學合作共建，雙方將圍繞“半導體非金屬零部件洗凈”領域，基于研究團隊在化學、材料等技術方向的研發積累，重點聚焦于半導體、太陽能、光刻機相關產業方向展開深入研究，致力于關鍵技術研發、科技成果轉化、高端人才匯聚、智慧應用方案落地。

　　資料顯示，江蘇富樂德石英科技有限公司于2018年落戶東臺高新區，主要從事磁性流體、熱電半導體致冷材料與器件、精密石英等產品研發生產和銷售，產品廣泛應用于半導體芯片、大規模集成電路、汽車、航空航天、醫療器械等行業。

　　據官網信息，Ferrotec(中國)從事半導體硅片、熱電半導體致冷材料與器件、半導體石英制品、精密陶瓷制品、半導體真空傳動裝置及大型腔體、電子束蒸發鍍膜機、精密洗凈、覆銅陶瓷基板(DCB、AMB、DPC)、半導體裝備、單晶爐等產品的研發、制造和銷售，產品涉及電子、半導體、機械加工、太陽能發電、汽車/新能源汽車、家用電器和醫療器械等眾多領域。

　　其中，關于洗凈再生技術，Ferrotec(中國)官網指出，該技術是通過化學和物理的方法把精密parts上的膜質或其它粒子清除掉，再運用物理與化學拋光、噴砂、熱噴涂和電鍍表面處理的方法再生處理parts表面，使其達到循環再使用的功能。Ferrotec(中國)重點洗凈項目包括半導體12nm清洗，該公司主要致力研發半導體12nm logic的清洗工藝，并保證工藝穩定性，以達到量產目的。

　　芯片設計：芯鼎科技x日本AI方案商

　　近日，神盾集團旗下IC設計廠商芯鼎科技宣布，與日本領先的AI方案商達成設計委托合作，將委托芯鼎科技采用ISP Solution SoC系統芯片方案平臺來為其開發最新一代的視覺圖像處理系統芯片SoC。

　　芯鼎科技表示，此次合作代表著公司正式進入ISP的ASIC設計服務領域，增加未來營運成長動能。

　　此設計委托案將結合策略伙伴先進的立體視覺及AI引擎與芯鼎科技的圖像處理系統芯片平臺，包括ThetaEye AI圖像信號處理(AI-ISP)知識產權，及所有AI影像處理壓縮與通訊傳輸儲存顯示等系統運作功能模塊。

　　資料顯示，芯鼎科技股份有限公司成立于2009年，從事數位相機圖像圖像及視訊處理芯片設計開發及銷售，應用在數位相機、運動相機、行車記錄儀與居家監控相機領域。

　　目前，芯鼎科技已與多個客戶進行客制化系統芯片方案平臺設計服務的討論，開拓ThetaEye AI芯片設計服務業務的發展。