IR D類音頻功率放大器參考設(shè)計(jì)IRAUDAMP4適用于汽車
國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)近日推出D類音頻功率放大器參考設(shè)計(jì)IRAUDAMP4。與典型的電路設(shè)計(jì)相比，新型參考設(shè)計(jì)可幫助設(shè)計(jì)人員為適用于家庭影院應(yīng)用、專業(yè)放大器、樂器和汽車娛樂系統(tǒng)的所有中壓范圍的中高功率放大器節(jié)省50%的PCB占板面積。
IR亞太區(qū)高級(jí)銷售副總裁曾海邦表示：“這種參考設(shè)計(jì)可在60W 、4Ω時(shí)提供0.004%的THD+N。”
與IR的200V數(shù)字音頻驅(qū)動(dòng)IC IRS20955和IRF6645 DirectFET數(shù)字音頻MOSFET配合使用的IRAUDAMP4參考設(shè)計(jì)，是一種2通道、120W 半橋設(shè)計(jì)，在120W 、4Ω條件下可實(shí)現(xiàn)96%的效率。該設(shè)計(jì)也結(jié)合了多種關(guān)鍵保護(hù)功能，包括過流保護(hù)、過壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、直流保護(hù)、過熱保護(hù)等。新設(shè)計(jì)還提供管理功能，例如用于前置放大器仿真信號(hào)處理的+/- 5V電源，用于D類柵極驅(qū)動(dòng)級(jí)的 -B作參考的+12V電源 (Vcc)。這個(gè)2通道設(shè)計(jì)可擴(kuò)展功率及通道數(shù)目，在正常運(yùn)行情況下無需使用散熱器。
新參考設(shè)計(jì)基于的IRS20955(S)(TR)PbF音頻驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)，具有特別為D類音頻放大器應(yīng)用設(shè)計(jì)的浮動(dòng)PWM輸入。其雙向電流檢測可在無需外置分流電阻的情況下，在正及負(fù)的負(fù)載電流條件下監(jiān)測過流狀況。內(nèi)置的保護(hù)控制模塊可提供針對(duì)過流條件的安全保護(hù)程序和可編程復(fù)位定時(shí)器。內(nèi)置死區(qū)時(shí)間生成模塊則有助于精確的柵極開關(guān)，最佳死區(qū)時(shí)間設(shè)置可提供更佳的音頻性能，例如較低的總諧波失真(THD)，以及較低的音頻背景噪聲。
配合新參考設(shè)計(jì)使用的IRF6645功率MOSFET，為IR DirectFET系列的成員。創(chuàng)新的DirectFET封裝技術(shù)通過減少引線電感提升了開關(guān)性能，并降低了EMI噪聲，從而增強(qiáng)了D類音頻放大器電路的性能。其較高的熱效率有助于實(shí)現(xiàn)在4Ω阻抗下的120W運(yùn)行，加上無需使用散熱器，所以不僅能縮小電路尺寸，更可在線路布局方面提供更大的靈活性，同時(shí)降低整個(gè)放大器系統(tǒng)成本。
IR亞太區(qū)高級(jí)銷售副總裁曾海邦表示：“這種參考設(shè)計(jì)可在60W 、4Ω時(shí)提供0.004%的THD+N。”
與IR的200V數(shù)字音頻驅(qū)動(dòng)IC IRS20955和IRF6645 DirectFET數(shù)字音頻MOSFET配合使用的IRAUDAMP4參考設(shè)計(jì)，是一種2通道、120W 半橋設(shè)計(jì)，在120W 、4Ω條件下可實(shí)現(xiàn)96%的效率。該設(shè)計(jì)也結(jié)合了多種關(guān)鍵保護(hù)功能，包括過流保護(hù)、過壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、直流保護(hù)、過熱保護(hù)等。新設(shè)計(jì)還提供管理功能，例如用于前置放大器仿真信號(hào)處理的+/- 5V電源，用于D類柵極驅(qū)動(dòng)級(jí)的 -B作參考的+12V電源 (Vcc)。這個(gè)2通道設(shè)計(jì)可擴(kuò)展功率及通道數(shù)目，在正常運(yùn)行情況下無需使用散熱器。
新參考設(shè)計(jì)基于的IRS20955(S)(TR)PbF音頻驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)，具有特別為D類音頻放大器應(yīng)用設(shè)計(jì)的浮動(dòng)PWM輸入。其雙向電流檢測可在無需外置分流電阻的情況下，在正及負(fù)的負(fù)載電流條件下監(jiān)測過流狀況。內(nèi)置的保護(hù)控制模塊可提供針對(duì)過流條件的安全保護(hù)程序和可編程復(fù)位定時(shí)器。內(nèi)置死區(qū)時(shí)間生成模塊則有助于精確的柵極開關(guān)，最佳死區(qū)時(shí)間設(shè)置可提供更佳的音頻性能，例如較低的總諧波失真(THD)，以及較低的音頻背景噪聲。
配合新參考設(shè)計(jì)使用的IRF6645功率MOSFET，為IR DirectFET系列的成員。創(chuàng)新的DirectFET封裝技術(shù)通過減少引線電感提升了開關(guān)性能，并降低了EMI噪聲，從而增強(qiáng)了D類音頻放大器電路的性能。其較高的熱效率有助于實(shí)現(xiàn)在4Ω阻抗下的120W運(yùn)行，加上無需使用散熱器，所以不僅能縮小電路尺寸，更可在線路布局方面提供更大的靈活性，同時(shí)降低整個(gè)放大器系統(tǒng)成本。
文章版權(quán)歸西部工控xbgk所有，未經(jīng)許可不得轉(zhuǎn)載。
服務(wù)咨詢