Vishay Siliconix最新推出的P溝道功率MOSFET的導通電阻不僅為業內最低

　　這款20V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET具有業內最低的導通電阻，在緊湊的2mm x 2mm的占位面積內實現了從18mΩ@4.5V至65mΩ@1.8V的導通電阻

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2009 年 11 月 23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術的最新器件，使用了自矯正的工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術實現了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業界最好的P溝道MOSFET的導通電阻減小了近一半。

　　SiA433EDJ具有超低的導通電阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的導通電阻分別為18mΩ、26mΩ和65mΩ。在4.5V和2.5V下，這些數值比最接近的競爭器件小40%和30%。

　　新的MOSFET也是唯一同時具有12V柵源電壓和可在1.8V額定電壓下導通的20V器件。這樣就可以將該器件用在由于浪涌、尖峰、噪聲或過壓導致的更高柵極驅動電壓波動的應用，同時在采用更低輸入電壓的應用中提供更安全的設計。

　　SiA433EDJ可以用作手持設備，如手機、智能手機、PDA、MP3播放器中的負載、電池和充電開關。MOSFET的低導通電阻意味著更低的導通損耗，節約能量并延長這些設備中兩次充電之間的電池壽命。SiA433EDJ的尺寸只有TSOP-6封裝的一半，卻能提供近似的導通電阻，其緊湊的PowerPAK SC-70封裝可將節約出來的電路板空間用于其他產品特性，或是實現更小的終端產品。

　　為減少ESD導致的故障，器件內置了一個齊納二極管，使ESD保護提高到1800V。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規范，符合RoHS指令2002/95/EC，通過了完整的Rg測試。

　　新的SiA433EDJ TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，將于2010年第一季度實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十四周至十六周。

VISHAY SILICONIX簡介
　　Vishay Siliconix 是現今世界上排名第一的低壓功率 MOSFET 和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統的固態開關的供應商。Vishay Siliconix 的硅技術和封裝產品的里程碑，包括在業內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型 MOSFET 和業內第一個小型的表面貼裝的功率型 MOSFET（LITTLE FOOT®）。
　　創新的傳統不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率 MOSFET 的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能（PowerPAK®）和更小空間（ChipFET®，MICRO FOOT®）新的封裝選擇。除了功率 MOSFET 外，Vishay Siliconix 的產品還包括功率集成電路和業界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix 功率集成電路的發展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。
　　Siliconix 創建于 1962 年，在 1996 年 Vishay 購買了其 80.4% 的股份使其成為 Vishay子公司。

VISHAY簡介
　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使 Vishay 成為了全球業界領先者。有關 Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。
　　TrenchFET®和 PowerPAK®是 Siliconix Incorporated 的注冊商標

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