廣島大學(xué)開發(fā)并公開了IGBT模型“HiSIM-IGBT”

廣島大學(xué)HiSIM研究中心的研究小組開發(fā)了IGBT（insulated gate bipolartransistor）電路設(shè)計和檢測用模型“HiSIM-IGBT”,并于5月10日在該大學(xué)向新聞媒體作了發(fā)布。并披露，已經(jīng)面向車載集成電路設(shè)計人員等公開了該模型。
廣島大學(xué)從2005年開始就一直與豐田和豐田中央研究所共同研究普通車載用IGBT（insulated gate bipolartransistor）的模型。IGBT組合使用了雙極晶體管和MOSFET,而聯(lián)合研究小組則推導(dǎo)出可不分離這兩個晶體管，而整體模擬IGBT的模型公式，從而開發(fā)出了HiSIM-IGBT.制成一體化模型是為了精確表達(dá)兩個晶體管之間的相互作用。


HiSIM-IGBT以廣島大學(xué)和半導(dǎo)體理工學(xué)研究中心（STARC）聯(lián)合開發(fā)的MOSFET模型“HiSIM（Hiroshima-universitySTARC IGFET Model）”為骨架，并統(tǒng)合了雙極晶體管模型（參閱本站報道）。據(jù)介紹，采用HiSIM-IGBT使設(shè)計高精度電路成為可能，有望大幅推進(jìn)能源利用的高效率化。


模型的精度和穩(wěn)定性評測已完成，已達(dá)到可公開的程度。據(jù)稱，有為模型做嵌入式評測的EDA工具供應(yīng)商已表示，即便是大電流電路和大電壓電路，也可以穩(wěn)定預(yù)測特性。廣島大學(xué)打算通過發(fā)布該模型，使更多的用戶利用，以便進(jìn)一步改進(jìn)。