瑞薩電子推出2款功率半導體器件RJK0222DNS和RJK0223DNS

新推出的2款新型功率半導體產品均采用了工藝先進的第11代小型、低損耗功率MOSFET，并將組成DC/DC轉換器的一對功率MOSFET（注釋 2）整合于同一封裝內。因此它們不僅可實現安裝面積比瑞薩電子早期的功率MOSFET產品小一半的3.2mm × 4.8mm × 0.8mm（最大值）超小型封裝尺寸，還可實現高達95.2%的業界最高效率，使功耗得到了大幅降低。

目前，2款新產品樣品的單價均為50日元，并計劃于2010年12月起批量生產。預計到2011年7月以后，2款產品月產量將達到合計200萬個。

通常，由于筆記本電腦、服務器和圖形卡等信息與通信產品中的CPU、GPU、存儲器和ASIC等器件所需要的電源電壓低于電池提供的電壓，因此這些產品一般會內置多個用于降壓的DC/DC轉換器。而隨著信息產品等的日趨小型化與薄型化，它們所搭載的DC/DC轉換器也不斷朝更小、更薄、更高效的方向發展。

為了滿足上述需求，瑞薩電子在原有技術的基礎上，進一步推進其功率MOSFET產品的小型化和高散熱化發展，并推出了本次將一對功率MOSFET搭載于一個封裝內的全新超小型產品。

新產品的主要特性如下：

（1）安裝面積小于原有產品一半，從而實現了更小巧的高密度電源設計

在尺寸為3.2mm × 4.8mm的超小型HWSON3046（瑞薩電子封裝編號）封裝內使用了一對功率MOSFET來實現電壓轉換。安裝面積與瑞薩電子早期尺寸為5.1mm × 6.1mm的WPAK（瑞薩電子封裝編號）封裝相比，小了約一半。這樣就能夠設計出更小巧、安裝密度更高的DC/DC轉換器。

（2）實現了業內最高的效率，大大降低了電源功耗

在300kHz的開關頻率下，瑞薩電子第11代低損耗功率MOSFET實現了目前業內最高水平95.2%的高效率（輸入電壓：12V，輸出電壓：3.3V），這使電源的總效率得到進一步提高。

此外，在用于實現電壓轉換的一對功率MOSFET中，還在用于實現同步整流（低端）的功率MOSFET上整合了片上肖特基勢壘二極管。這使 DC/DC轉換器在死區時間（注釋3）內，功率MOSFET到肖特基勢壘二極管的電流轉換時間得以縮短，從而降低了功率損耗。更值得一提的是，新產品還可有效抑制功率MOSFET接通時的電壓跳變，從而降低電磁噪聲。

和早期的WPAK封裝一樣，HWSON3046封裝具有出色的散熱性能，而器件下所配備的壓料墊，能夠將功率MOSFET工作時所產生的熱量傳導至印刷電路板，這使功率MOSFET能夠處理更大的電流。

今后，瑞薩電子將繼續開發可同時搭載2個芯片的HWSON3046封裝，并不斷推出滿足DC/DC轉換器所需電源方式的各類產品。