美Rice大學研發出存儲器芯片新技術

　　美國Rice大學宣布研發出全球第1個僅需兩個端點的存儲器芯片技術，并可使用最普通的矽原料。此技術除可容易應用至現有的半導體制程外，更可望幫助摩爾定律(Moore’sLaw)繼續延伸。

　　Rice大學化學教授JamesTour及研究生JunYao研發出制造半導體存儲器電路的新方法。首先，將1個二氧化矽層夾于兩個純矽層中間，通過電流，二氧化矽的氧原子將被分離出來，形成1個奈米大小的矽晶體鏈。當矽晶體鏈產生后，透過兩端極小的電極施加電壓，便能改變矽晶體鏈成為連通或中斷的狀態，形成1個和普通晶體管相同、紀錄資料有無的開關。

　　由于矽晶體鏈僅需2個端點，而不像普通晶體管需要3個，將能增加容量、減少體積，并能以三維陣列堆疊。Tour稱矽晶體鏈能縮小至5奈米，適用10奈米以下的制程。

　　此外，藉由在網狀結構上放置數千個矽晶體鏈，芯片每單位空間的儲存容量將大幅超越一般的快閃存儲器。Tour表示，采用此種新方法，每平方公分容量將能達到1兆位元，

　　此技術的最佳優點在于，由于新方法采用二氧化矽而非其它較不被廣泛了解的元素，將能使此種新方法容易應用至現今的半導體工廠，同時，此方法也相當簡易。Tour表示，半導體業者不需要了解任何的新技術。

　　此外，Tour指出制造晶體鏈的物質并非一定要采用矽，幾乎任何金屬都行。其它發現還包括采用新方法制成的電路較傳統快閃存儲器更能抗拒能量輻射造成的影響。

　　目前Tour實驗室與德州公司PrivaTran合作，PrivaTran正測試使用該方法設計的芯片，下一步將擴增規模。Tour表示，寄望此方法能成為快閃存儲器遭遇發展瓶頸后的候選新技術。