Vishay Siliconix 推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET

　賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 12 月7 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。該器件特別針對(duì)“重型”汽車(chē)應(yīng)用，是Vishay采用兼具低電阻和高電流等級(jí)的7腳D2PAK封裝的首款功率MOSFET。

　　通過(guò)高密度TrenchFET技術(shù)，器件在10V和4.5V下實(shí)現(xiàn)了1.1mΩ和1.3mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，將傳導(dǎo)損耗最小化，并能在更低的溫度下工作。此外，器件的連續(xù)漏極電流達(dá)200A，幫助工程師設(shè)計(jì)出更具魯棒性的產(chǎn)品，為關(guān)鍵的安全應(yīng)用提供額外的安全余量。

　　今天發(fā)布的SQM200N04-1m1L適用于電動(dòng)轉(zhuǎn)向助力等高功率車(chē)用電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。器件采用了專門(mén)設(shè)計(jì)，在生產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)行了100%的測(cè)試，可承受100A和500mJ的單個(gè)雪崩脈沖。器件具有0.4˚C /W的低熱阻(結(jié)至外殼)，工作溫度范圍-55˚C～+175˚C。

　　SQM200N04-1m1L符合RoHS，通過(guò)100%的Rg和UIS測(cè)試。器件豐富和擴(kuò)展了通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的Vishay TrenchFET功率MOSFET系列，更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.vishay.com/mosfets/automotive-mosfets/。

　　新款車(chē)用功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。

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　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無(wú)源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

　　TrenchFET®是Siliconix公司的注冊(cè)商標(biāo)。

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