富士通半導體推出基于2.7V-5.5V的寬電壓FRAM產(chǎn)品

　　上海，2012年10月16日 — 富士通半導體(上海)有限公司今日宣布推出其V系列的又一款新產(chǎn)品MB85RC256V。至今為止，富士通V系列FRAM產(chǎn)品已經(jīng)涵蓋了4Kbit，16Kbit，64Kbit，256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V電壓范圍內(nèi)工作的FRAM產(chǎn)品，為當今對元器件電壓范圍要求高的領域提供了設計的方便。作為全球領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器FRAM供應商，富士通后續(xù)還將根據(jù)市場需求推出更大容量的產(chǎn)品。

　　MB85RC256V芯片圖

　　FRAM產(chǎn)品結合了ROM的非易性數(shù)據(jù)存儲性能和RAM的優(yōu)勢，具有幾乎無限次的讀寫次數(shù)、高速讀寫周期和低功耗特點。富士通FRAM產(chǎn)品線具有多種接口和容量，包括工業(yè)標準的串行和并行接口;富士通FRAM產(chǎn)品具備了高速讀寫,高耐久性,低功耗三大特點,使其不同于其他非易失性存儲器. FRAM產(chǎn)品廣泛的應用于儀器儀表，工業(yè)控制，汽車電子，金融POS等各種先進領域，對于這些領域來說FRAM的高速讀寫，高耐久性，低功耗等特性非常重要。

　　憑借公司內(nèi)部一體化的開發(fā)和制造流程，富士通半導體可以更加優(yōu)化設計和工廠間的密切合作，這為富士通向客戶穩(wěn)定的提供高質(zhì)量產(chǎn)品打下了基礎。

　　富士通FRAM現(xiàn)有產(chǎn)品列表

　　MB85RC256V重要參數(shù)

　　•256Kb 存儲容量，采用32kx 8位結構

　　•10¹²次的讀寫次數(shù)

　　•數(shù)據(jù)保存10年(+85°C)

　　•2.7V-5.5V工作電壓范圍

　　串行外設接口-I2C

　　•4.5V-5.5V,工作頻率達1MHz

　　•2.7V-4.5V,工作頻率達400KHz

　　溫度及封裝配置

　　•-40°C至 +85°C的工業(yè)溫度范圍

　　•支持3.9mmx5.05mm和5.30mmx5.24mm兩種尺寸的SOP-8封裝

　　供貨時間

　　從2012年8月中旬起提供樣品,2012年10月中旬起可以接受批量訂貨。

　　關于富士通半導體(上海)有限公司

　　富士通半導體(上海)有限公司是富士通在中國的半導體業(yè)務總部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大連、廈門、西安、青島等地均設有分公司，負責統(tǒng)籌富士通在中國半導體的銷售、市場及現(xiàn)場技術支持服務。

　　富士通半導體(上海)有限公司的產(chǎn)品包括專用集成電路(ASIC)、單片機(MCU)、專用標準產(chǎn)品(ASSP)/片上系統(tǒng)(SoC)和系統(tǒng)存儲芯片，它們是以獨立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶，并應用于廣泛領域。在技術支持方面，分布于上海、香港及成都的IC設計中心和解決方案設計中心，通過與客戶、設計伙伴、研發(fā)資源及其他零部件供應商的溝通、協(xié)調(diào)，共同開發(fā)完整的解決方案，從而形成一個包括中國在內(nèi)的完整的亞太地區(qū)設計、開發(fā)及技術支持網(wǎng)絡。

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