美國國家半導體（NationalSemiconductor）發布了將電源電路所需的穩壓器IC、MOSFET及電感器等大部分部件集成在一個封裝內的電源模塊“SIMPLESWITCHERPowerModule”（圖1）。因不再需要外置電感器，因此容易進行電源電路設計。適用于醫療設備、廣電視頻設備、通信設備及產業設備等配備的FPGA、微處理器以及為DSP供電的負載點（pointofload,PoL）轉換器等。

圖1:中央的黑色封裝就是SIMPLESWITCHERPowerModule.外形尺寸為寬10.16mm×長13.77mm（包含端子部分）×厚4.57mm.
　　該產品的特點是，與其他公司封裝內含有電感器的產品相比，電力轉換效率高出3~5百分點，運行時封裝的表面溫度只有10℃左右（圖2,圖3）。據介紹，此次采用了導通電阻較低的MOSFET,且優化了開關電路，從而提高了電力轉換效率，散熱性方面，通過在封裝底面設置大面積銅散熱區域，將封裝的熱電阻（θJA）降低到了20℃/W.內置的電感器附帶屏蔽罩，而且采用可降低EMI的封裝技術，從而滿足了CISPR22B類電磁波輻射標準的要求。其內置的電感器系從其他公司采購，采用了標準技術。電源模塊的開關頻率為1MHz.

圖2:國家半導體的產品（左）和其他公司競爭產品（右側）運行時的溫度比較。輸入電壓為+5V,輸出電壓為+2.5V,輸出電流為3A,環境溫度約為+25℃。安裝在1.6英寸見方的雙層印刷布線底板上。銅層的厚度為0.03556mm.封裝表面的峰值溫度，國家半導體的產品（LMZ10504）為+62℃，其他公司的競爭產品為+75℃。

圖3:國家半導體電源產品管理業務部門主管AlexChin在介紹產品
　　以前，封裝內含有電感器的電源模塊需要在封裝底面分別配置端子和散熱墊，而國家半導體此次將端子作為引線設置在封裝的側面，只在封裝底面配置了散熱墊。通過這種方法，排除了發生目視無法判別的焊錫橋接的可能性，實現了從封裝底面有效散熱。
　　此次發布了輸入電壓范圍和最大輸出電流分別為+6~42V和3A的“LMZ14203”、+4.5~20V和3A的“LMZ12003”和+2.95~5.5V和4A的“LMZ10504”3款產品。外形尺寸均為寬10.16mm×長13.77mm（含端子部分）×厚4.57mm.目前已開始供貨，批量購買500個時，LMZ14203的單價為9.50美元，LMZ12003為7.25美元，LMZ10504為7.10美元。
　　除了上述3款已開始量產的產品之外，該公司還將在輸入電壓范圍為+6~42V和+4.5~20V的產品中陸續供貨輸出電流為1A和2A的款式，在輸入電壓范圍為+2.95~5.5V的產品中陸續供貨輸出電流為3A和5A的款式。封裝均與先行供貨的3款產品相同。另外，該公司還表示，今后在推出輸出電流更大的產品時，準備采用散熱特性更高的封裝。