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      Vishay的新一代 TrenchFET® MOSFET再度刷新

        賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月8 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計(jì),在4.5V下導(dǎo)通電阻低至1.35mΩ,Miller電荷Qgd低至1.8nC,采用PowerPAK® SO-8和1212-8封裝。

        新款Vishay Siliconix TrenchFET IV在硅設(shè)計(jì)、晶圓加工和器件封裝上采用了多項(xiàng)技術(shù)改進(jìn)措施,為功率電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)者提供了諸多好處。與前一代器件相比,SiRA00DP的導(dǎo)通電阻與面積乘積減小了60%,在10V電壓下實(shí)現(xiàn)了1.0mΩ的極低RDS(on),4.5V下1.35mΩ的導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水準(zhǔn)。對(duì)于設(shè)計(jì)者而言,MOSFET的低導(dǎo)通電阻可以實(shí)現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗,減少功率損耗,達(dá)到更高的效率。

        TrenchFET Gen IV MOSFET采用了一種新型結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了非常高密度的設(shè)計(jì),而沒(méi)有明顯增加?xùn)艠O電荷,克服了經(jīng)常在高晶格數(shù)量器件上出現(xiàn)的這個(gè)問(wèn)題。今天發(fā)布的MOSFET的總柵極電荷較低,使得SiRA04DP在4.5V下導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)降至56nC-Ω。

        SiRA00DP、SiRA02DP和SiRA04DP可提高系統(tǒng)效率,降低溫度,采用6.15mm x 5.15mm PowerPAK® SO-8封裝,SiSA04DN的效率與之相近,3.30mm x 3.30mm PowerPAK 1212-8封裝的面積只有前三款器件的1/3。今天發(fā)布的所有器件的Qgd/Qgs比值僅有0.5或更低。更低的比值可以降低柵極感應(yīng)電壓,有助于防止擊穿的發(fā)生。

        SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN適用于高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、同步降壓轉(zhuǎn)換器和OR-ing應(yīng)用。典型終端產(chǎn)品包括開(kāi)關(guān)電源、電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)、POL、通信磚式電源、PC和服務(wù)器。

        TrenchFET Gen IV經(jīng)過(guò)了100%的Rg和UIS測(cè)試。這些器件符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定和RoHS指令。

        TrenchFET Gen IV系列中所有產(chǎn)品的完整詳細(xì)數(shù)據(jù)請(qǐng)?jiān)L問(wèn):http://www.vishay.com/mosfets/trenchfet-gen-iv/。

        Vishay Siliconix是業(yè)內(nèi)首家引入Trench MOSFET的供應(yīng)商。該公司的TrenchFET知識(shí)產(chǎn)權(quán)包括大量專利,以及可追溯到20世紀(jì)80年代早期的基礎(chǔ)技術(shù)專利。每一代新的TrenchFET技術(shù)生產(chǎn)出來(lái)的產(chǎn)品都將各種計(jì)算、通信、消費(fèi)電子和其他應(yīng)用中功率MOSFET的性能指標(biāo)提高了相當(dāng)可觀的數(shù)值。

      型號(hào)

      SiRA00DP

      SiRA02DP

      SiRA04DP

      SiSA04DN

      VDS (V)

      30

      30

      30

      30

      VGS (V)

      20

      20

      20

      20

      RDS(ON) (Ω) max.

      VGS = 10 V

      0.00100

      0.00200

      0.00215

      0.00215

      VGS = 4.5 V

      0.00135

      0.00270

      0.00310

      0.00310

      Qg (nC)

      VGS = 4.5 V

      66.0

      34.3

      22.5

      22.5

      Qgs (nC)

      26.0

      13.6

      8.6

      8.6

      Qds (nC)

      8.6

      4.1

      4.0

      4.0

      封裝

      PowerPAK SO-8

      PowerPAK SO-8

      PowerPAK SO-8

      PowerPAK 1212-8

        器件規(guī)格表:

        TrenchFET Gen IV MOSFET現(xiàn)可提供樣品,在2012年1季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十二周。

        VISHAY簡(jiǎn)介

        Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無(wú)源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com

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