最新的半導(dǎo)體和無源元件提高了各種各樣應(yīng)用的效率和可靠性

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 7 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將參加7月17日至19日在東京國(guó)際展覽中心舉行的Techno-Frontier 2013，并在電源系統(tǒng)專項(xiàng)展覽Power System Japan的1D-207展位展出其最新的半導(dǎo)體和無源元件。作為為互聯(lián)、移動(dòng)和可持續(xù)發(fā)展提供元器件方案的供應(yīng)商，Vishay將展示在各個(gè)產(chǎn)品線上所取得的業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù)，幫助各種應(yīng)用提高效率和可靠性。

　　在Techno-Frontier 2013上，Vishay Siliconix將展示在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下最大導(dǎo)通電阻低至0.00135Ω的TrenchFET® Gen IV MOSFET;PowerPAK® SO-8L和8x8L封裝的50W前大燈LED驅(qū)動(dòng);優(yōu)化了熱性能和電性能的PowerPAIR®器件。重點(diǎn)推出功率IC包括采用3mm x 3mm DFN10封裝的28V可編程、受保護(hù)的智能負(fù)載開關(guān)，5mm x 5mm封裝的高密度60A功率級(jí);3 mm x 3 mm QFN-16封裝的高效16V microBUCK®穩(wěn)壓器。

　　Vishay Semiconductors將展示各種二極管，包括采用SMPD封裝的45V～120V TMBS® Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器;用于電動(dòng)汽車、UPS和太陽(yáng)能逆變器的第二代 650V FRED Pt® Ultrafast二極管;FRED Pt 超快恢復(fù)整流器。另外，Vishay Semiconductors將在顯著位置展示SurfLight™高功率紅外表面發(fā)射器等光電子產(chǎn)品，帶有數(shù)字輸出的全集成接近傳感器，以及1mA和5mA輸入電流的光耦。

　　Vishay的無源元件包括該公司各種各樣的最新電容器、電阻和電感器。重點(diǎn)展示的電阻包括具有高功率密度和可在+275℃高溫惡劣環(huán)境下使用的Vishay Dale Power Metal Strip®電阻，以及用于功率計(jì)和電池管理應(yīng)用的高電流Power Metal Strip分流電阻。

　　特色電容器包括具有業(yè)內(nèi)最小外形尺寸的Vishay Sprague Micro Tan®汽車級(jí)固鉭片式電容器;Vishay ESTA功率電子電容器;Vishay Vitramon通過安全認(rèn)證的多層陶瓷片式電容器(MLCC)。Vishay Dale將展出面向汽車應(yīng)用的薄型、高電流IHLP®器件，用于桌面電腦和服務(wù)器的高溫通孔電感器等電感器產(chǎn)品。

　　另外，Vishay將在Techno-Frontier 2013的展位進(jìn)行兩項(xiàng)演示。Vishay Siliconix將演示用600V和650V的E系列功率MOSFET來提高效率。Vishay Semiconductors將演示一個(gè)采用低正向電壓和快速開啟時(shí)間的TMBS整流器，以及具有高阻抗并能減小信號(hào)損失的低CJ TVS器件的系統(tǒng)。