這個問題的解決辦法是使用GPIB對儀器進行預配置，然后讓儀器自己執(zhí)行測試。許多現(xiàn)代儀器擁有源存儲器列表(source memory list)編程功能，允許設立和運行多達100個完整的測試序列而無須PC干預。每個測試可包含不同的儀器配置和測試條件，可包括源的配置、測量、條件跳轉(zhuǎn)、數(shù)學功能和通過/失敗極限測試和存儲功能。某些單元可在直流或脈沖模式下，采用不同的參數(shù)和時間安排運行，使得有可能減慢較敏感的測試，或加速其它測試以優(yōu)化整個測試時間進程。
　當儀器基本上自主運行時，GPIB的角色就是測試前下載測試程序以及測試后上傳結(jié)果到PC，兩者都不干涉實際測試。
儀器觸發(fā)
　為實現(xiàn)簡單的電流-電壓掃描(I-V)，SMU輸出一系列電壓同時測量對應的電流。在每個電壓級，SMU首先提供一個電壓。電路中的電壓變化將引起一個瞬態(tài)電流，因此對測試完整性而言在激勵和測量之間設定一個合適的延時很關(guān)鍵。在不同的范圍內(nèi)儀器將自動調(diào)節(jié)延時來產(chǎn)生最佳結(jié)果。然而，給測試電路附加額外的部件，例如長電纜、開關(guān)矩陣等，這將改變電路的瞬態(tài)特性。對于高阻器件，較長的測試時間通常是必要的。在這些情況下，用戶需要定義額外的延時以維持測量的完整性。
二極管的測試
　我們的第一個例子包括測試儀器、器件傳遞裝置(handler)和PC(圖1)，這里需要注意如何通過內(nèi)部編程來消除大多數(shù)的GPIB通訊來加速測試。
　二極管的生產(chǎn)測試包括驗證步驟確定待測二極管的極性，然后測試正向壓降、反向擊穿電壓以及漏電流。
　正向壓降是指在某些規(guī)定的正向電流時二極管兩端的電壓，通過在二極管上通過規(guī)定電流，然后在其兩端測量電壓來得到。反向擊穿電壓(VRM或VBR)是電流突然無限增加時的反向電壓，這通過施加反向電流并測量二極管兩端的電壓來測量。讀出的電壓與特定的最低極限相比較以決定測試通過或失敗。漏電流IR有時也稱為反向飽和電流，IS是給二極管施加小于反向擊穿電壓的一個電壓時的電流，它是通過施加一個特定的反向電壓并測量產(chǎn)生的電流來得到的。編寫程序來在源/存儲器儀器的存儲器位置(memory location)中設置二極管的測試，然后通過IEEE總線傳來的一個觸發(fā)開始執(zhí)行，儀器按照存儲器中的設定編程位置執(zhí)行操作，無須計算機的干預。

圖2：在三極管測試中一般使用兩臺SMU，第一臺在HBT基極和發(fā)射極之間，第二臺在發(fā)射極和集電極之間

RF功率三極管測試
　盡管有許多類型的RF三極管存在，但我們以異質(zhì)結(jié)雙極性三極管(HBT)為例，類似的測試可用于其它器件。由于三極管是個三端器件，通常需要使用兩臺SMU。圖2顯示兩臺SMU連接到器件，第一臺在HBT基極和發(fā)射極之間，第二臺在發(fā)射極和集電極之間。為了獲取HBT的集電極曲線，基極SMU設置成輸出電流并測量電壓。設好第一個基極電流后，在掃描集電極電壓的同事測量集電極電流。然后基極電流增加一級，再次掃描集電極電壓并同時測量集電極電流。重復該過程直到獲得不同基極電流情況下所有的集電極I-V曲線。
儀器的同步
　由于希望兩臺儀器都被編程(避免GPIB延遲)，我們希望測試設置中的所有儀器同步。開始，這并不成為問題。例如，如果幾臺SMU擁有同樣的固件，且采用相同的測試參數(shù)對其編程，每一步的執(zhí)行時間將相同。而困難來自存儲器位置調(diào)用和自動距離修正(auto-ranging)步驟，這些步驟花費的時間不確定。
　在類似這種情況下需要使用一個外部的、專門的觸發(fā)控制器，以保證多個儀器的測量同時發(fā)生。在測試系統(tǒng)采用了不同廠家的設備，或者即使來自同樣廠家但觸發(fā)方法不同時，這特別有用。
　過程如下所述(采用的實例參照了Keithley儀器，但類似的辦法可用于其它廠家的儀器)：
　1．觸發(fā)控制器輸出一個觸發(fā)信號到每臺儀器。
　2．從存儲器調(diào)用源存儲器位置。
　3．使能所有儀器的源輸出。
　4．每臺儀器按照用戶定義的延時執(zhí)行。
　5．一旦完成延時操作每臺儀器給控制器輸出一個觸發(fā)信號。
　6。觸發(fā)控制器等待每臺儀器輸出的觸發(fā)信號(延時輸出)。
　7．觸發(fā)控制器給每臺儀器發(fā)送一個觸發(fā)信號(測量輸入)。
　8．每臺儀器開始測量操作。
　9．完成測量后，每臺儀器給控制器發(fā)出一個觸發(fā)信號。
　10．觸發(fā)控制器等待每臺儀器輸出的觸發(fā)信號(測量輸出)。
　11．回到步驟1開始下一測試

圖3：a：集電極-發(fā)射極擊穿電壓，基極開路；b：集電極-發(fā)射極擊穿電壓，基極短路；c：集電極關(guān)斷電流，ICBO，及集電極-基極擊穿電壓，發(fā)射極開路
特定的三極管測試
　HBT通常有兩個重要的擊穿電壓需要測量：第一個是集電極-發(fā)射極擊穿電壓，可在基極開路或短路時測，圖3a顯示基極開路(BVCEO或V (BR)CEO)下測量集電極-發(fā)射極擊穿電壓的設置，圖3b顯示基極短路(BVCES或V(BR)CES)情況下測量集電極-發(fā)射極擊穿電壓的設置。另一個擊穿電壓是集電極-基極擊穿電壓(BVCBO或V(BR)CBO)，通常射極開路測量，圖3c顯示了該測試設置。在這些測量中，源-測量單元掃描HBT上的電壓同時測量電流。在達到擊穿電壓之前，電流將保持非常恒定，達到擊穿電壓后，電流將突然增加。
　通常RF功率三極管要測的其他參數(shù)有集電極-發(fā)射極持續(xù)電壓，BVCEO(sus)或VCE(sus)，在基極-發(fā)射極之間的結(jié)上采用反向偏置時集電極-發(fā)射極的擊穿電壓(BVCEV或BVCEX),以及集電極開路時的發(fā)射極-基極擊穿電壓(BVEBO)。
結(jié)漏電流
　描述器件關(guān)斷時的漏電流也非常重要，因為在器件不工作時，漏電流。