技術(shù)頻道

      可控硅元件的工作原理及基本特性

      1、工作原理
      可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,其等效圖解如圖1所示

      圖1 可控硅等效圖解圖
      當(dāng)陽極A加上正向電壓時(shí),BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí),如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào),BG2便有基流ib2流過,經(jīng)BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連,所以ib1=ic2。此時(shí),電流ic2再經(jīng)BG1放大,于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,兩個(gè)管子的電流劇增,可控硅使飽和導(dǎo)通。
      由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔茫砸坏┛煽毓鑼?dǎo)通后,即使控制極G的電流消失了,可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用,沒有關(guān)斷功能,所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。
      由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),所以它具有開關(guān)特性,這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,此條件見表1
      表1 可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷條件
      狀態(tài)
      條件
      說明
      從關(guān)斷到導(dǎo)通
      1、陽極電位高于是陰極電位
      2、控制極有足夠的正向電壓和電流
      兩者缺一不可
      維持導(dǎo)通
      1、陽極電位高于陰極電位
      2、陽極電流大于維持電流
      兩者缺一不可
      從導(dǎo)通到關(guān)斷
      1、陽極電位低于陰極電位
      2、陽極電流小于維持電流
      任一條件即可
      2、基本伏安特性
      可控硅的基本伏安特性見圖2
      圖2 可控硅基本伏安特性
      (1)反向特性
      當(dāng)控制極開路,陽極加上反向電壓時(shí)(見圖3),J2結(jié)正偏,但J1、J2結(jié)反偏。此時(shí)只能流過很小的反向飽和電流,當(dāng)電壓進(jìn)一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后,接差J3結(jié)也擊穿,電流迅速增加,圖3的特性開始彎曲,如特性O(shè)R段所示,彎曲處的電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時(shí),可控硅會(huì)發(fā)生永久性反向擊穿。

      圖3 陽極加反向電壓
      (2)正向特性
      當(dāng)控制極開路,陽極上加上正向電壓時(shí)(見圖4),J1、J3結(jié)正偏,但J2結(jié)反偏,這與普通PN結(jié)的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態(tài),當(dāng)電壓增加,圖3的特性發(fā)生了彎曲,如特性O(shè)A段所示,彎曲處的是UBO叫:正向轉(zhuǎn)折電壓

      圖4 陽極加正向電壓
      由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后,J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng),在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴,電子時(shí)入N1區(qū),空穴時(shí)入P2區(qū)。進(jìn)入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合,同樣,進(jìn)入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復(fù)合,雪崩擊穿,進(jìn)入N1區(qū)的電子與進(jìn)入P2區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉,這樣,在N1區(qū)就有電子積累,在P2區(qū)就有空穴積累,結(jié)果使P2區(qū)的電位升高,N1區(qū)的電位下降,J2結(jié)變成正偏,只要電流稍增加,電壓便迅速下降,出現(xiàn)所謂負(fù)阻特性,見圖3的虛線AB段。
      這時(shí)J1、J2、J3三個(gè)結(jié)均處于正偏,可控硅便進(jìn)入正向?qū)щ姞顟B(tài)---通態(tài),此時(shí),它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似,見圖2中的BC段
      3、觸發(fā)導(dǎo)通
      在控制極G上加入正向電壓時(shí)(見圖5)因J3正偏,P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū),N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū),形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔茫ㄒ妶D2)的基礎(chǔ)上,加上IGT的作用,使可控硅提前導(dǎo)通,導(dǎo)致圖3的伏安特性O(shè)A段左移,IGT越大,特性左移越快。

      圖5 陽極和控制極均加正向電壓

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