防雷區(qū)(LPZ)
防雷區(qū)(LPZ)
防雷區(qū)應(yīng)按下列原則劃分:
一、LPZ0A 區(qū):本區(qū)內(nèi)的各物體都可能遭到直接雷擊和導(dǎo)走全部雷電流;本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度沒(méi)有衰減。
二、LPZ0B 區(qū):本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到大于所選滾球半徑對(duì)應(yīng)的雷電流直接雷擊,但本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度沒(méi)有衰減。
三、LPZ1 區(qū):本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到直接雷擊,流經(jīng)各導(dǎo)體的電流比 LPZ 0B 區(qū)更小;本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度可能衰減,這取決于屏蔽措施。
四、LPZn+1 后續(xù)防雷區(qū):當(dāng)需要進(jìn)一步減小流入的電流和電磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí),應(yīng)增設(shè)后續(xù)防雷區(qū),并按照需要保護(hù)的對(duì)象所要求的環(huán)境區(qū)選擇后續(xù)防雷區(qū)的要求條件。
注:n=1、2、…
防雷區(qū)應(yīng)按下列原則劃分:
一、LPZ0A 區(qū):本區(qū)內(nèi)的各物體都可能遭到直接雷擊和導(dǎo)走全部雷電流;本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度沒(méi)有衰減。
二、LPZ0B 區(qū):本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到大于所選滾球半徑對(duì)應(yīng)的雷電流直接雷擊,但本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度沒(méi)有衰減。
三、LPZ1 區(qū):本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到直接雷擊,流經(jīng)各導(dǎo)體的電流比 LPZ 0B 區(qū)更小;本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度可能衰減,這取決于屏蔽措施。
四、LPZn+1 后續(xù)防雷區(qū):當(dāng)需要進(jìn)一步減小流入的電流和電磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí),應(yīng)增設(shè)后續(xù)防雷區(qū),并按照需要保護(hù)的對(duì)象所要求的環(huán)境區(qū)選擇后續(xù)防雷區(qū)的要求條件。
注:n=1、2、…
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