LVPECL電平的差分擺幅較大（典型值約800mV），共模電壓較高（約1.3V-1.9V），需外部端接電阻匹配；而LVDS差分擺幅較小（350mV），共模電壓較低（約1.2V），且LVDS接收端內置端接電阻?。
有源晶振外接電路有源晶振通常的用法：一腳懸空，二腳接地，三腳接輸出，四腳接電壓。有源晶振不需要MCU的內部振蕩器，連接方式相對簡單。
溫補晶振（Temperature Compensated Crystal Oscillator，TCXO） 是一種通過溫度補償技術提升頻率穩定性的晶體振蕩器。其核心目標是抵消因環境溫度變化導致的晶體諧振頻率漂移，使輸出頻率更穩定。
晶振，即石英晶體振蕩器，是電子設備中用于產生穩定振蕩信號的元件。在光模塊中，晶振的主要作用是提供高精度的時鐘信號和頻率控制，確保光模塊在高速傳輸時保持穩定性和可靠性。晶振的性能直接影響光模塊的傳輸速率、傳輸距離、功耗和體積等關鍵參數。
晶振的振蕩本質上是一種機械振動（在壓電晶體層面）。當兩個晶振靠得很近時，它們的機械振動可能會相互影響。一個晶振的振動可能會通過電路板或者外殼等介質傳遞給另一個晶振，從而改變另一個晶振的振動特性。這種情況在一些對振動較為敏感的高精度測量儀器中尤為重要。
晶振的頻率和振幅是兩個獨立的參數，它們之間沒有直接的固定關系。但在實際應用中，它們會相互影響并共同決定晶振的性能和應用場景。因此，在選擇晶振時，需要根據具體的應用需求來綜合考慮這兩個參數以及其他相關因素。
晶體元件的負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容，即晶振要正常振蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。應用時一般在給出負載電容值附近調整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。
24MHz 無源晶振為 CPU、GPU、內存等組件提供統一的時鐘基準，確保它們按照精確的節奏協同工作，使數據的傳輸、處理和存儲能夠有條不紊地進行。
晶振是一種頻率元器件，廣泛使用在電子產品中，例如監控設備、手機、吸塵器、智能穿戴等產品都會有晶振的存在。我們常見到的晶振有插件晶振，貼片晶振。
晶振切割工藝就是對晶體坐標軸某種角度去切割。切型有非常多的種類，因為石英是各向異性的，所以不同的切型其物理性質不同。切面的方向與主軸的夾角對其性能有著非常重要的影響，比如頻率穩定性、Q值、溫度性能等。
發個拆解帖，看有沒有懂行的朋友估一下這臺設備的成本大概是多少，再看看這臺異國他鄉的設備用了哪些器件。
無源晶振作為時鐘電路中的重要組成部分，其性能直接影響著整個系統的穩定性和準確性。無源晶振本身不具備內部振蕩電路，依賴外部電路產生振蕩。因此，選擇合適的晶振并確保其各項參數與電路匹配，是實現高效穩定工作的關鍵。
頻率范圍全面覆蓋，滿足多樣化需求： ? CMOS可編程晶振：1~200MHz寬廣選擇，為您的基礎應用提供穩定可靠的支持。 ? 可編程差分晶振：高達2100MHz的卓越性能，滿足高速數據傳輸與信號處理的高標準要求。 ? 可編程壓控晶振：15~2100MHz靈活可調，適應復雜多變的頻率控制需求。
如果振蕩器不能正常振蕩，首先應用萬用表測量放大器的靜態工作點，若靜態工作點異常,應重點檢查放大電路的元器件有無損壞連接線是否開路；若靜態工作點正常,則要查正反饋是否加上,反饋極性是否正確、反饋深度是否合適。如果振蕩器的振蕩頻率出現差，應適當調整選頻元件的參數：
?作為全球授權分銷商，貿澤電子庫存有豐富的半導體和電子元器件，并積極引入原廠新品，支持隨時發貨。貿澤旨在為客戶供應全面認證的原廠產品，并提供全方位的制造商可追溯性。
“雙碳”目標正加速推進汽車向電動化發展，半導體技術的創新助力汽車從燃油車過渡到電動車，新一代半導體材料碳化硅(SiC) 因獨特優勢將改變電動車的未來，如在關鍵的主驅逆變器中采用 SiC 可滿足更高功率和更低的能效、更遠續航、更小損耗和更低的重量，以及向 800 V 遷移的趨勢中更能發揮它的優勢，但與此同時也面臨著成本、封裝及技術成熟度等多方面的挑戰。
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