芯原將MoSys嵌入式內存技術納入其SOC設計

芯原公司和SoC嵌入式內存解決方案供應商MoSys日前宣布，雙方正在合作通過向芯原的客戶提供無縫式的專利技術利用，以進一步拓展MoSys 1T-SRAM技術的采用。
　　根據雙方達成的合作協議，芯原將把1T-SRAM能力納入其知識產權(IP)產品組合當中，用于客戶在多個代工廠的系統芯片(SOC)設計。
　　在這種合作關系下，客戶目前有權選擇與芯原直接合作來把MoSys的創新型內存技術整合進他們的設計當中，這些設計涉及眾多代工廠的選擇以及高級加工工藝(如90納米)。通過利用MoSys已獲得專利的1T-SRAM超高密度內存產品，客戶能夠大大降低他們的硅成本，同時維持高性能和低功耗。
　　[此信息未經證實，僅供參考]