TD－LTE終端芯片測試10月啟動

　　在近日召開的業內會議上，工信部電信研究院通信標準研究所主任工程師李文宇透露稱，從10月開始，電信研究院將啟動2.6GHz的TD-LTE終端芯片相關的測試。

　　“對2.6GHz的TD-LTE終端芯片的主要技術要求包括：支持3GPPRel82009年12月版本、20MHz帶寬網絡、多種時隙配比、多種必選MIMO模式(含波束賦形)、異頻和同頻測量、異頻和同頻切換、下行64QAM以及性能基本穩定等。”李文宇表示，我們之所以將時間定在10月，是給廠商時間進一步對各自的芯片解決方案進一步開發、改進、調試和完善。

　　據李文宇介紹稱，在10月將開始2.6GHzTD-LTE終端芯片相關的測試，包括，終端芯片本身的功能、射頻、性能等測試，之后進行室內UUIOT(終端芯片與系統設備互操作測試)和外場測試。在此基礎上，還將由系統設備與終端芯片共同完成室內外關鍵技術測試、外場組網性能測試。

　　據了解，在今年6月，在工信部領導下，電信研究院已對6家廠商的2.3GHzTD-LTE芯片進行了第一輪測試，近期還將有三家芯片廠商將進行2.3GHz測試。

　　“從2.3GHz的TD-LTE芯片測試情況來看，各家芯片研發已取得明顯進步，已有多家芯片廠商研發TD-LTE基帶和射頻ASIC芯片，而部分廠商也已開發出TD-LTE數據卡和CPE設備，已能支持TD-LTE的大部分功能，性能也比較穩定。”李文宇指出，TD-LTE與FDDLTE芯片基本實現共享軟硬件平臺，研發LTETDD/FDD多模芯片已有很好基礎。