TD－LTE終端芯片測(cè)試10月啟動(dòng)

　　在近日召開(kāi)的業(yè)內(nèi)會(huì)議上，工信部電信研究院通信標(biāo)準(zhǔn)研究所主任工程師李文宇透露稱，從10月開(kāi)始，電信研究院將啟動(dòng)2.6GHz的TD-LTE終端芯片相關(guān)的測(cè)試。

　　“對(duì)2.6GHz的TD-LTE終端芯片的主要技術(shù)要求包括：支持3GPPRel82009年12月版本、20MHz帶寬網(wǎng)絡(luò)、多種時(shí)隙配比、多種必選MIMO模式(含波束賦形)、異頻和同頻測(cè)量、異頻和同頻切換、下行64QAM以及性能基本穩(wěn)定等。”李文宇表示，我們之所以將時(shí)間定在10月，是給廠商時(shí)間進(jìn)一步對(duì)各自的芯片解決方案進(jìn)一步開(kāi)發(fā)、改進(jìn)、調(diào)試和完善。

　　據(jù)李文宇介紹稱，在10月將開(kāi)始2.6GHzTD-LTE終端芯片相關(guān)的測(cè)試，包括，終端芯片本身的功能、射頻、性能等測(cè)試，之后進(jìn)行室內(nèi)UUIOT(終端芯片與系統(tǒng)設(shè)備互操作測(cè)試)和外場(chǎng)測(cè)試。在此基礎(chǔ)上，還將由系統(tǒng)設(shè)備與終端芯片共同完成室內(nèi)外關(guān)鍵技術(shù)測(cè)試、外場(chǎng)組網(wǎng)性能測(cè)試。

　　據(jù)了解，在今年6月，在工信部領(lǐng)導(dǎo)下，電信研究院已對(duì)6家廠商的2.3GHzTD-LTE芯片進(jìn)行了第一輪測(cè)試，近期還將有三家芯片廠商將進(jìn)行2.3GHz測(cè)試。

　　“從2.3GHz的TD-LTE芯片測(cè)試情況來(lái)看，各家芯片研發(fā)已取得明顯進(jìn)步，已有多家芯片廠商研發(fā)TD-LTE基帶和射頻ASIC芯片，而部分廠商也已開(kāi)發(fā)出TD-LTE數(shù)據(jù)卡和CPE設(shè)備，已能支持TD-LTE的大部分功能，性能也比較穩(wěn)定。”李文宇指出，TD-LTE與FDDLTE芯片基本實(shí)現(xiàn)共享軟硬件平臺(tái)，研發(fā)LTETDD/FDD多模芯片已有很好基礎(chǔ)。