中國南車投資逾20億元開發(fā)半導體IGBT項目

　　從中國南車獲悉，公司下屬的株洲所舉辦的“高壓高功率密度IGBT芯片及其模塊研究開發(fā)”項目鑒定會上，研制的國內(nèi)唯一一款最大電壓等級、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊首次向外界亮相，該項目代表我國功率半導體器件行業(yè)IGBT技術的最高水平。

　　中國南車株洲所IGBT事業(yè)部總經(jīng)理劉國友向大智慧通訊社透露，中國南車株洲所在IGBT項目上總投資超過20億元，目前該公司有近百位來自全球的頂尖專家從事IGBT器件芯片及模塊技術的研發(fā)，在IBGT芯片設計、封裝測試、可靠性試驗、系統(tǒng)應用上攻克了30多項難題，掌握該器件的成套技術，并在IGBT的規(guī)模化、專業(yè)化生產(chǎn)上形成完整的工藝體系，產(chǎn)品在國內(nèi)軌道交通、柔性直流輸電以及礦冶領域得到批量應用，項目已申報專利20項，獲得授權(quán)發(fā)明專利2項，實用新型專利2項。

　　目前，在國內(nèi)有數(shù)家從事中小功率IGBT產(chǎn)品組裝企業(yè)，具備了低端芯片(1200伏到1700伏電壓等級)研發(fā)及模塊封裝能力，在高壓IGBT模塊封裝技術上，也只有包括中國南車株洲所在內(nèi)的少數(shù)企業(yè)掌握了該項技術，而在關鍵的高壓IGBT芯片技術及后期系統(tǒng)運用上，中國南車株洲所是國內(nèi)唯一一家全面掌握IGBT芯片技術研發(fā)、模塊封裝測試和系統(tǒng)應用的企業(yè)。

　　中國南車株洲所作為我國電力電子器件原始創(chuàng)新能力的主要企業(yè)之一，從最早的軌道交通用晶閘管、GTO的研制，到新世紀開始在IGBT、IGCT等高端功率半導體器件技術的發(fā)力，走過了漫長的一段路程。“十一五”以來，在國家發(fā)改委、工信部、科技部及地方各級政府的產(chǎn)業(yè)專項政策支持和國內(nèi)軌道交通等市場的推動下，該公司IGBT等功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，2011年啟動的我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，目前也已建成試運行。屆時，中國南車株洲所成為世界上僅有的幾家在掌握功率半導體產(chǎn)品成套技術、規(guī)模化生產(chǎn)能力以及市場應用的企業(yè)。

　　高壓高功率密度的IGBT應用領域從傳統(tǒng)的電力、機械、礦冶到4C產(chǎn)業(yè)，擴大到軌道交通、柔性直流輸電、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在推動國家節(jié)能減排、傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級、裝備制造水平提升、國防現(xiàn)代化與科技化等方面具有重大的戰(zhàn)略價值，是現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。

　　目前，中國已成為世界上IGBT產(chǎn)品最大的消費市場，以高速動車組、大功率機車、新能源裝備、電網(wǎng)為龍頭的國內(nèi)變頻產(chǎn)業(yè)年IGBT需求量超過50億元，而且每年以15%以上速度增長。隨著國家產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型和升級，以及戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高壓高功率密度IGBT將具有非常廣闊的應用空間。

　　此前，高壓高功率密度IGBT技術幾乎全部被國外少數(shù)幾家企業(yè)壟斷，國內(nèi)還是一片空白。從2011年開始，中國南車株洲所通過全球性的戰(zhàn)略布局，吸納國際優(yōu)勢研發(fā)資源，對該項高端技術進行自主攻關，終于在去年12月份開發(fā)出國內(nèi)首款從芯片到模塊完全自主化的3300伏等級的IGBT芯片，并在此基礎上，又成功研制出4500伏、6500V高功率密度IGBT芯片及模塊，初步形成了IGBT器件技術的完整產(chǎn)品型譜。