飛思卡爾的4兆位（Mbit）MRAM是一款快速的非易失性存儲器產品，具有極強的耐用性——結合了其它任何單個半導體存儲器都不具備的多種特性。該設備基于飛思卡爾的超過100項專利所保護的技術，包括跳變位（Toggle-bit）切換。
“隨著MRAM的商用，飛思卡爾率先將這種技術推向市場，從而帶來巨大的可能性和潛力，”Semico Research的Bob Merritt說，“為了率先推出MRAM，各公司之間的競爭異常激烈。這是飛思卡爾工程團隊積極努力的重大成果。”
MRAM采用磁性材料，同時結合傳統的硅電路，使單個的高耐用性設備既具備SRAM的速度，又擁有閃存的非易失性。飛思卡爾成功地將該技術投入商用，將促進新型電子產品的顯著改進，包括規格、成本、功耗和系統性能方面的改進。
“行業第一款MRAM產品的商業推廣是飛思卡爾技術專家所進行的初創研究的重要里程碑。它進一步表明了我們對于為客戶帶來突破性技術以應對市場挑戰的承諾，” 飛思卡爾戰略和業務發展高級副總裁兼首席技術官 Sumit Sadana表示，“MRAM技術的獨特性能為我們目標市場帶來大量令人興奮的應用。”
飛思卡爾的第一款商用MRAM產品的名稱為MR2A16A，適用于多種商業應用，包括聯網、安全、數據存儲、游戲和打印機等。該部件經濟而又可靠，是替代battery-backed SRAM單元的理想產品。該設備還可用于cache buffers、configuration storage memories以及其它需要MRAM的速度、靈活性和穩定性的應用。