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      FRAM 在汽車行駛記錄儀中的應用的優(yōu)勢

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      Ramtron 中國服務中心

      中國的汽車行駛記錄儀中的數(shù)據(jù)應該包括二個部分,一部分為汽車實時數(shù)據(jù)(存放汽車發(fā)生事故前后的數(shù)據(jù)),另一部分為汽車歷史數(shù)據(jù)(存放汽車和司機的行駛狀況)。汽車實時數(shù)據(jù)主要是用于分析事故發(fā)生的原因和事故的責任, 汽車歷史數(shù)據(jù)作為事故分析的參考依據(jù)和對汽車和司機的運行狀況考核,歷史數(shù)據(jù)是以當前汽車實時數(shù)據(jù)為依據(jù)。整個汽車行駛記錄儀記錄的是2 個輸入量(如速度,剎車)的狀況,其他可以根據(jù)廠商的要求存儲7 個開關量的數(shù)據(jù)(轉向燈,車門等),比較高級的還會記錄發(fā)動機的溫度和其他的一些輸入量的狀況。由于行駛記錄儀的數(shù)據(jù)是如此重要,所以對存儲器的要求很高。

      存儲歷史數(shù)據(jù)的存儲器大家都比較容易選擇,目前大容量的Flash 和U 盤,很多廠商都能提供。最難的是汽車的實時數(shù)據(jù)的存儲器比較難選擇,因為實時數(shù)據(jù)比歷史數(shù)據(jù)更為重要,而且要求掉電后數(shù)據(jù)能保存(發(fā)生事故時,汽車系統(tǒng)可能會沒有電源),為了實時數(shù)據(jù)的準確性,要求由于輸入量的檢測周期越短越好,據(jù)目前我們了解,國標要求最大0.2 秒采集一次數(shù)據(jù),以20 秒為一個存儲單位, 實時數(shù)據(jù)需要存儲10 次20 秒的數(shù)據(jù),也就是說在實時數(shù)據(jù)需要存儲200 秒的數(shù)據(jù),到了200 后,將實時數(shù)據(jù)抽樣送入歷史記錄中,然后實時數(shù)據(jù)中的重新覆蓋,由此可見,在實時數(shù)據(jù)中的存儲器要求很高。

      對儲器要求:
      1)掉電后數(shù)據(jù)需要保存;2)擦寫數(shù)據(jù)多,3)可靠高.
      目前實現(xiàn)這種要求的方式有以下幾種
      1) SRAM+電池+電源管理IC +EEPROM
      2) NVRAM
      3) FRAM
      下面是幾種方案的性能比較:
      一 SRAM+電池+電源管理IC+EEPROM

      由于EEPROM 和FLASH 的擦寫次數(shù)的限制,檢測的數(shù)據(jù)量不能實時寫入其中,只能存儲在SRAM中,當?shù)揭欢ǖ臅r間或檢測到掉電后在把數(shù)據(jù)寫入EEPROM和FLASH中,EEPROM存儲實時數(shù)據(jù),Flash 存儲歷史數(shù)據(jù).此方案的特點:價格可能比較便宜,但是性能很不可靠,發(fā)生事故時可能整個系統(tǒng)都沒有電,當系統(tǒng)檢測到掉電時,再把SRAM 的數(shù)據(jù)寫入EEPROM 和FLASH 中,已經(jīng)沒有時間,而且汽車系統(tǒng)的環(huán)境比較復雜,我們都知道SRAM+電池的存儲方式很不可靠.所以目前很少有工程師這樣設計.

      二)NVRAM+電池管理

      NVRAM 有二種,一種為SRAM+電池型,另一種SRAM+EEPROM 型,不管那一種首先價格比較貴,大家都知道,黑匣子是一個民用品(3.5 噸以上的貨車和9 人以上的私家車都需要裝黑匣子),如果價格高,不利于推廣.
      另外在性能方面,如果NVRAM 是SRAM+電池型,有電池用完的危險,我們都知道NVRAM 只能用3-5 年,以后可能電池沒有了,所以用之存儲數(shù)據(jù)也不可靠.如果NVRAM 是SRAM+EEPROM 型,由于此存儲器的原理是在工作時,MCU 操作的是SRAM,在檢測到掉電后在把數(shù)據(jù)存儲到EEPROM 中,這樣也存在發(fā)生事故時數(shù)據(jù)寫不進的危險.所以數(shù)據(jù)存儲也不是很可靠.
      在了解第三種方案之前我們先了解FRAM 的基本特點:
      美國Ramtron 公司鐵電存貯器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料.這一特殊材料使得鐵電存貯產(chǎn)品同時擁有隨機存取記憶體(RAM) 和非易失性存貯產(chǎn)品的特性.產(chǎn)品的主要特點:
      1. 擦寫次數(shù)多,至少達到1000億次.
      2. 速度快,沒有寫等待時間.
      3. 功耗低,讀寫電流150Ua,靜態(tài)電流小于1Ua
      4. 讀寫無限次,在超過1000億次后,FRAM還可以做SRAM使用
      5. 接口方式與IIC的EEPROM完全兼容,與并口SRAM兼容,與普通SPI接口的EEPROM兼容

      三)FRAM 的存儲方式
      由于FRAM 有SRAM 的速度和次數(shù),又有Flash 和EEPROM 的特點,掉電后數(shù)據(jù)能保存,同時多功能的FRAM 還有電源管理功能.所以用FRAM 首先可以簡化系統(tǒng)的電路,減低系統(tǒng)的成本.另外由于FRAM 的特點,提高系統(tǒng)的可靠性.
      目前歐美和韓國等一些汽車工業(yè)發(fā)達國家的汽車黑匣子都是用FRAM 做他們的存儲器.

      Ramtron 的簡介

      Ramtron 公司成立于1984 年. 總部設在美國科羅拉多州的Colorado Springs 市. 公司于1992 年在美國納斯達克上市.Ramtron 是當今領先的鐵電存貯器技術和產(chǎn)品供應商.世界上決大部分重要的半導體存貯器制造商都向Ramtron 申請授權專利來做鐵電存貯器的研究. 他們包括 日本的Toshiba, Hitachi, Fujistu, Rohm, Asahi,韓國的Samsung, 和德國的Infineon。

      在未來的幾年里, Ramtron 會繼續(xù)努力不斷降低成本.另外, 將在明年上半年推出兆級(Mbit) 密度的鐵電體. 大密度的鐵電體 (FRAM)將來會取代各類記億體,成為真正的超級存貯器”。


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